[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料及金属化方法

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，主要组分为导电相粉体、粘接相玻璃粉体和有机载体，所述粘接相玻璃粉体的烧结温度为730～860℃；氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料还包含一硼化钨；

按质量份数计，所述氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料的主要组成为：导电相粉体80～95份、粘接相玻璃粉体2～8份、有机载体3～12份、一硼化钨0.03～0.45份。

2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，以所述导电相粉体的质量为100%计，所述导电相粉体的主要组成为：银60%～75%、铜15%～30%、钛1.5%～12%；以粘接相玻璃粉体的质量为100%计，所述粘接相玻璃粉体的主要组成为氧化锌17～27%、三氧化二硼60～72%、二氧化硅10～20%。

3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，所述氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料还包含730～800℃内具有各向同性负热膨胀性能的负热膨胀材料。

4.根据权利要求3所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，所述负热膨胀材料为钨酸锆，氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料的主要组成为：导电相粉体80～95份、粘接相玻璃粉体2～8份、有机载体3～12份、一硼化钨0.03～0.5份、钨酸锆0.05～0.3份。

5.根据权利要求4所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，所述导电相粉体的平均粒径为1～2.5μm，所述粘接相玻璃粉体的平均粒径为2.5～3.5μm，所述一硼化钨的平均粒径为200～600nm。

6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，所述粘接相玻璃粉体和一硼化钨为复合粉体。

7.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，其特征在于，所述钨酸锆的平均粒径为200～600nm；所述粘接相玻璃粉体、一硼化钨和钨酸锆为复合粉体。

8.一种氮化铝陶瓷基板的金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：将权利要求1至7中任意一项所述的氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料丝网印刷到氮化铝基板上，惰性气体气氛下烧结。

9.根据权利要求8所述的氮化铝陶瓷基板的金属化方法，其特征在于，所述烧结为分段烧结，第一烧结段温度为730～780℃；第二段烧结温度为780～860℃。