[发明专利]图像感测装置

权利要求书

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：

基础基板；

像素阵列和保护环区域，所述像素阵列由所述基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素，所述保护环区域布置在所述像素阵列外部的区域中；

多个第一导电类型隔离层，所述多个第一导电类型隔离层从所述保护环区域的第一表面到所述基础基板中的第一深度形成在所述基础基板中；

至少一个第二导电类型隔离层，所述至少一个第二导电类型隔离层从所述保护环区域的所述第一表面到所述基础基板中的第二深度形成在所述基础基板中，并且被放置在所述第一导电类型隔离层之间；以及

第一隔离层，所述第一隔离层从所述保护环区域的第二表面到所述基础基板中的第三深度形成在所述基础基板中，所述第一隔离层延伸到彼此相邻的所述第一导电类型隔离层和所述第二导电类型隔离层。

2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括背侧深沟槽隔离BDTI。

3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括电绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括具有高介电常数的材料。

5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括P型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括N型隔离层。

6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层和所述N型隔离层中或与所述第一P型隔离层和所述N型隔离层接触。

7.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层中或与所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层接触。

8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括N型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括P型隔离层。

9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一N型隔离层、P型隔离层和第二N型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一N型隔离层和所述P型隔离层中或与所述第一N型隔离层和所述P型隔离层接触。

10.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一N型隔离层、P型隔离层和第二N型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一N型隔离层、所述P型隔离层和所述第二N型隔离层中或与所述第一N型隔离层、所述P型隔离层和所述第二N型隔离层接触。

11.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述像素阵列包括：

多个第一导电类型二极管区域，所述多个第一导电类型二极管区域从所述像素阵列的第一表面到所述基础基板中的特定深度形成在所述基础基板中；以及

多个第二导电类型隔离层，所述多个第二导电类型隔离层从所述像素阵列的所述第一表面到所述基础基板中的特定深度形成在所述基础基板中，其中，所述第二导电类型隔离层被放置在所述第一导电类型二极管区域之间。