[发明专利]存储器装置及其具有修复信号维持机制的存储器测试电路与方法在审
申请号: | 202110884721.3 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN115705907A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 林盛霖;林士杰 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C29/10;G11C29/00;G11C11/417 |
代理公司: | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人: | 王再芊;毕长生 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 具有 修复 信号 维持 机制 测试 电路 方法 | ||
1.一种具有修复信号维持机制的存储器测试电路,包括:
一存储器内建自修复电路;以及
一修复控制电路,配置以控制所述存储器内建自修复电路对具有一冗余结构的一存储器电路进行一内建自修复程序,并包括:
一重新映射暂存电路,设置在一扫描链中,配置以在所述内建自修复程序完成后,接收所述从所述存储器内建自修复电路产生的一修复信号进行暂存;以及
一闩锁暂存电路,电性耦接于所述重新映射暂存电路以及对应于所述存储器电路的一重新映射电路之间,配置以从所述重新映射暂存电路接收并保存所述修复信号,以当所述重新映射暂存电路根据所述扫描链进行一扫描测试时,使所述重新映射电路存取所述修复信号,并根据所述修复信号以及所述冗余结构对所述存储器电路重新映射进行修复。
2.根据权利要求1所述的存储器测试电路,其特征在于,所述修复控制电路还包括一多工器,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,所述第一输入端电性耦接于所述存储器内建自修复电路以接收所述修复信号,所述第二输入端以及所述输出端电性耦接于所述重新映射暂存电路,其中所述多工器配置以接收一选择信号,并据此在一接收模式下选择所述第一输入端从所述存储器内建自修复电路接收所述修复信号,并在一闩锁模式下选择所述第二输入端接收所述重新映射暂存电路所暂存的所述修复信号。
3.根据权利要求1所述的存储器测试电路,其特征在于,所述闩锁暂存电路配置以接收一模式控制信号,并据此在所述内建自修复程序完成前以一透通模式运作,并在所述内建自修复程序完成后以一保存模式运作,以从所述重新映射暂存电路接收并保存所述修复信号。
4.一种存储器装置,包括:
一存储器电路,具有一冗余结构;以及
一存储器测试电路,包括:
一存储器内建自修复电路;
一修复控制电路,配置以控制所述存储器内建自修复电路对所述存储器电路进行一内建自修复程序,并包括:
一重新映射暂存电路,设置在一扫描链中,配置以在所述内建自修复程序完成后,接收所述从所述存储器内建自修复电路产生的一修复信号进行暂存;以及
一闩锁暂存电路,电性耦接于所述重新映射暂存电路以及对应于所述存储器电路的一重新映射电路之间,配置以从所述重新映射暂存电路接收并保存所述修复信号,以当所述重新映射暂存电路根据所述扫描链进行一扫描测试时,使所述重新映射电路存取所述修复信号,并根据所述修复信号以及所述冗余结构对所述存储器电路重新映射进行修复。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述存储器电路的所述冗余结构为至少一冗余列、至少一冗余行或至少一冗余输入输出端口。
6.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述修复控制电路还包括一多工器,包括一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,所述第一输入端电性耦接于所述存储器内建自修复电路以接收所述修复信号,所述第二输入端以及所述输出端电性耦接于所述重新映射暂存电路,其中所述多工器配置以接收一选择信号,并据此在一接收模式下选择所述第一输入端从所述存储器内建自修复电路接收所述修复信号,并在一闩锁模式下选择所述第二输入端接收所述重新映射暂存电路所暂存的所述修复信号。
7.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述闩锁暂存电路配置以接收一模式控制信号,并据此在所述内建自修复程序完成前以一透通模式运作,并在所述内建自修复程序完成后以一保存模式运作,以从所述重新映射暂存电路接收并保存所述修复信号。
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