[发明专利]磊晶结构及微型发光元件

权利要求书

1.一种磊晶结构，其特征在于，包括：

量子井结构，具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层，其中所述至少一量子井层中包括至少一图案化层，且所述至少一图案化层包括多个几何图案；

第一型半导体层，配置于所述量子井结构的所述下表面上；以及

第二型半导体层，配置于所述量子井结构的所述上表面上。

2.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一量子井层中包括至少一连续层，而所述至少一图案化层中的铟掺杂浓度与所述至少一连续层中的铟掺杂浓度的比值介于0.1至3.5。

3.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层中的铟掺杂浓度介于4％至50％，而所述至少一连续层中的铟掺杂浓度介于15％至25％。

4.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层与所述至少一连续层中的一者邻近所述第一型半导体层，而所述至少一图案化层与所述至少一连续层中的另一者邻近所述第二型半导体层。

5.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的至少二个具有不同的尺寸。

6.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层还包括多个连接部，而所述多个连接部中的每一个位于相邻两所述多个几何图案之间，且所述多个连接部中的每一个至少连接相邻两所述多个几何图案。

7.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层包括多个图案化层，且所述多个图案化层中的每一个中的所述多个几何图案至少部分彼此分离，而相邻两所述多个图案化层中的所述多个几何图案呈至少部分错位排列。

8.根据权利要求7所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个图案化层中的至少二层的所述多个几何图案的分布密度不同。

9.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，还包括：

缓冲层，配置于所述量子井结构的所述下表面与所述第一型半导体层之间，其中所述缓冲层包括至少一结构化层，且所述至少一结构化层包括多个几何结构。

10.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，还包括：

至少一V型缺陷，存在于所述量子井结构内。

11.根据权利要求10所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的每一个的尺寸与所述至少一V型缺陷的尺寸的比值小于等于0.5。

12.根据权利要求10所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案的数量大于所述至少一V型缺陷的数量。

13.根据权利要求12所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一V型缺陷的数量与所述多个几何图案的数量的比值小于等于0.1。

14.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述第一型半导体层具有表面，所述量子井结构的所述下表面邻近所述表面，所述多个几何图案于所述表面上的正投影面积与所述表面的面积的比值大于0.25。

15.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的每一个具有高度，而所述量子井结构具有厚度，所述高度与所述厚度的比值大于等于0.1且小于等于0.5。

16.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，以俯视观之，任两相邻的所述多个几何图案之间的最大间距小于等于0.5微米。