[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种砷化镓晶片，其特征在于，所述砷化镓晶片的一个表面具有氮化镓钝化层，并且所述具有氮化镓钝化层一侧的砷化镓晶片表面的均方根粗糙度不高于0.22nm，接触角不大于4°，所述砷化镓晶片表面的均方根粗糙度使用原子力显微镜测定，且所述接触角使用接触角测量仪测定。

2.根据权利要求1的砷化镓晶片，其特征在于，所述具有氮化镓钝化层一侧的砷化镓晶片表面的均方根粗糙度不高于不高于0.19nm。

3.根据权利要求1的砷化镓晶片，其特征在于，所述具有氮化镓钝化层一侧的砷化镓晶片表面的接触角不大于3°。

4.一种制备权利要求1的砷化镓晶片的方法，包括以下步骤：

(1)将初始砷化镓晶片放置于等离子体清洗设备的处理腔室中，抽真空；

(2)向等离子体腔室中通入氮气和氢气的混合气体，在远程射频源作用下形成氮、氢混合等离子体；

(3)使步骤(2)中获得的氮、氢混合等离子体进入处理腔室中，对初始砷化镓晶片表面进行处理并形成氮化镓的钝化层。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于，所述步骤(2)中通入的氮气和氢气混合气体的流量为每升等离子体腔室5-50sccm，优选为7-30sccm，更优选为8.5-15sccm。

6.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，在所述氮气和氢气混合气体中，氮气与氢气的体积比为85:15-98:2，优选为88:12-97:3，更优选为89:11-93:7。

7.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，所述步骤(2)中远程射频源的功率为每升等离子体腔室50-150W，优选为60-120W，更优选为75-110W。

8.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，所述步骤(3)中氮、氢混合等离子体对初始砷化镓晶片表面的处理时间为2-20min，优选为5-15min，更优选为8-12min。

9.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，相对于单侧每cm²面积的初始晶片表面，所使用的氮气和氢气混合气体的流量为每升等离子体腔室为0.114-1.136sccm，优选为0.159-0.682sccm，更优选为0.193-0.341sccm。

10.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，所述等离子体腔室与所述处理腔室的体积比为1.5:1-1:1.5；优选1.2:1-1:1.2，最优选为1.05:1-1:1.05。