[发明专利]一种内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线在审
申请号: | 202110887450.7 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN113594670A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 赵亚冬 | 申请(专利权)人: | 成都宁锦威通信技术有限公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q23/00 |
代理公司: | 上海汇诚合一知识产权代理有限公司 31395 | 代理人: | 姜微微 |
地址: | 610036 四川省成都市金牛*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 校准 网络 结构 极化 相控阵 天线 | ||
1.一种内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,包括:
自上而下依次布设的天线辐射层(1)、连接层(2)以及天线馈线层(3),其中天线辐射层(1)贯穿设有天线辐射结构(15),天线辐射层(1)底部设有第一辐射缝隙(131)以及第二辐射缝隙(132),第一辐射缝隙(131)正对天线辐射结构(15)设置,第二辐射缝隙(132)正对天线馈线层(3)的馈线网络设置;其中天线馈线层(3)设有带线导体区(35),环绕带线导体区(35)设置的第一金属屏蔽区(36)以及置于带线导体区(35)边侧的第二金属屏蔽区(37),第一金属屏蔽区(36)贯穿天线馈线层(3)形成SIW传输线以及SIW耦合器结构(345),第二金属屏蔽区(37)贯穿天线馈线层(3)形成SIW传输线,天线馈线层(3)底部对应第一金属屏蔽区(36)设有第一馈线缝隙(331),对应第二金属屏蔽区(37)设有第一馈线缝隙(332)。
2.根据权利要求1所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,天线辐射层(1)包括围绕天线辐射结构(15)设置的信号屏蔽区(16)以及外置于信号屏蔽区(16)的校准接口区(17)。
3.根据权利要求2所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,带线导体区(35)对应天线辐射结构(15)所在位置设置,第一金属屏蔽区(36)和信号屏蔽区(16)对应,第二金属屏蔽区(37)和校准接口区(17)对应,信号屏蔽区(16)和第一金属屏蔽区(36)设有用于安装T/R组件的T/R组件波导接口,校准接口区(36)和第二金属区(37)设有用于安装校准网络的校准波导接口。
4.根据权利要求1所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,天线辐射结构(15)由圆极化天线(111)和辐射通孔(141)组成,其中辐射通孔(141)围绕圆极化天线(111)设置且贯穿天线辐射层(1)。
5.根据权利要求2所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,信号屏蔽区(16)由环绕天线辐射结构(15)的信号屏蔽分区(161)组成,每个信号屏蔽分区(161)内的屏蔽孔(142)呈阵列排布设置。
6.根据权利要求5所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,每个信号屏蔽分区(161)的边侧设有第一T/R组件安装孔(143)。
7.根据权利要求1所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,带线导体区(35)包括置于第一馈线基层(31)中心位置的第一带线导体区(351),和置于第一金属屏蔽区(36)外侧的第二带线导体区(352)。
8.根据权利要求7所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,第二带线导体区(352)两两连接同一方位的第一金属屏蔽区(36),并连接相邻的两方位的第一金属屏蔽区(36)。
9.根据权利要求1所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,SIW耦合器结构置于第一金属屏蔽区(36)内的平行单元之间。
10.根据权利要求1所述的内嵌校准网络和扇出结构的圆极化相控阵天线,其特征在于,适用于50GHz-70GHz的天线需求。
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