[发明专利]微晶陶瓷制品及其制备方法

权利要求书

1.一种微晶陶瓷制品，其特征在于，所述微晶陶瓷制品组成按照质量百分数计，SiO₂+A1₂O₃：65～75％；Na₂O+K₂O：15～20％；BaO+F+TiO₂：5～8％；CaO+B₂O₃+ZnO：5～10％。

2.如权利要求1所述的微晶陶瓷制品，其特征在于，所述微晶陶瓷制品组成按照质量百分数计，SiO₂+A1₂O₃：66～74％；Na₂O+K₂O：16～19％；BaO+F+TiO₂：6～7％；CaO+B₂O₃+ZnO：6～9％。

3.如权利要求1所述的微晶陶瓷制品，其特征在于，

所述微晶陶瓷制品组成按照质量百分数计，SiO₂+A1₂O₃：70％；Na₂O+K₂O：17.5％；BaO+F+TiO₂：6％；CaO+B₂O₃+ZnO：6.5％。

4.一种制备权利要求1-3中任一所述的微晶陶瓷制品的方法，其特征在于，所述方法包括:

以高温熔化物料，经供料成型、晶化退火步骤，形成微晶陶瓷制品，所述微晶陶瓷制组成按照质量百分数计，SiO₂+A1₂O₃：65～75％；Na₂O+K₂O：15～20％；BaO+F+TiO₂：5～8％；CaO+B₂O₃+ZnO：5～10％。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述微晶陶瓷制品组成按照质量百分数计，SiO₂+A1₂O₃：66～74％；Na₂O+K₂O：16～19％；BaO+F+TiO₂：6～7％；CaO+B₂O₃+ZnO：6～9％。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述高温熔化物料的温度为1300-1400℃。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述供料成型温度为1000-1100℃。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述晶化退火步骤的温度为520-600℃，晶化退火的时间为1-4h。

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括抛光步骤，所述抛光步骤为将所述供料成型的陶瓷制品进行抛光，抛光后的陶瓷制品，再经过晶化退火处理。