[发明专利]一种铌酸锂集成光学器件及变温稳定性提升方法

权利要求书

1.一种铌酸锂集成光学器件，其特征在于：包括铌酸锂光波导芯片（1）、尾纤支座（2）、金属管壳（3）和保偏光纤（6），所述尾纤支座（2）和所述铌酸锂光波导芯片（1）均固定设置在所述金属管壳（3）内，所述尾纤支座（2）上安装有所述铌酸锂光波导芯片（1），所述保偏光纤（6）穿过所述金属管壳（3）；

所述铌酸锂光波导芯片（1）的前侧面（13）、后侧面（14）和下表面（12）均覆盖有导电薄膜（7），所述下表面（12）、所述前侧面（13）和所述后侧面（14）上任意两点之间均为导通状态；

所述金属管壳（3）上设置有第一信号管脚（32）、第二信号管脚（33）和接地管脚（34），导电薄膜（7）与金属管壳（3）之间通过导电胶（5）实现电连接，导电薄膜（7）与接地管脚（34）之间电连接；第一信号管脚（32）、第二信号管脚（33）与金属管壳（3）之间通过玻璃绝缘子绝缘。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述金属管壳（3）的底部设有凸台（31），所述铌酸锂光波导芯片（1）通过硅橡胶（4）粘接在所述凸台（31）上。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述铌酸锂光波导芯片（1）的上表面设置有光波导（111）、行波电极正极（112）、行波电极负极（113）；第一信号管脚（32）、第二信号管脚（33）通过金丝键合分别连接行波电极正极（112）、行波电极负极（113）。

4.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述铌酸锂光波导芯片（1）与所述保偏光纤（6）之间通过精密对准耦合、紫外固化的方式粘接为一体，形成光路连接。

5.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述铌酸锂光波导芯片（1）由X切铌酸锂晶体为原材料制作而成；所述前侧面（13）和所述后侧面（14）均垂直于X切铌酸锂晶体的Z轴。

6.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述铌酸锂光波导芯片（1）采用钛扩散或退火质子交换工艺制备。

7.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述下表面（12）、所述前侧面（13）和所述后侧面（14）上任意两点之间的电阻小于或等于100Ω。

8.根据权利要求1所述的铌酸锂集成光学器件，其特征在于：所述铌酸锂光波导芯片（1）的所述前侧面（13）和所述后侧面（14）中至少一个面与所述金属管壳（3）之间采用所述导电胶（5）导通。

9.一种根据权利要求1-8任一项所述的铌酸锂集成光学器件的变温稳定性提升方法，其特征在于，包括：通过将铌酸锂光波导芯片（1）的前侧面（13）、后侧面（14）和下表面（12）进行镀导电薄膜（7）；通过用导电胶（5）连接所述导电薄膜（7）与所述金属管壳（3），实现所述铌酸锂光波导芯片（1）的接地。

10.一种根据权利要求9所述的铌酸锂集成光学器件的变温稳定性提升方法，其特征在于，所述导电薄膜（7）不透明时，所述铌酸锂光波导芯片（1）与所述保偏光纤（6）之间通过精密对准耦合、紫外固化的方式粘接为一体，形成光路连接之前对芯片出光点处的导电薄膜进行去除处理，避免造成光的衰减；

所述导电薄膜（7）透明时，所述铌酸锂光波导芯片（1）与所述保偏光纤（6）之间通过精密对准耦合、紫外固化的方式粘接为一体，形成光路连接之前不对芯片出光点处的导电薄膜进行去除处理。