[发明专利]一种陶瓷-金属复合雾化片及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷-金属复合雾化片，其特征在于，由压电陶瓷片、复合过渡层、金属片组成，所述复合过渡层设于压电陶瓷片与金属片之间，所述压电陶瓷片上设有孔体，所述金属片上设有密集雾化区，所述孔体和密集雾化区的位置相对应；

所述压电陶瓷片由以下化学结构式表示：

(Na_0.5K_0.5)(Nb_0.9Ta_0.1)O₃-xwt％CuO

其中，xwt％表示CuO占(Na_0.5K_0.5)(Nb_0.9Ta_0.1)O₃的质量百分数，x为0.5；

所述金属片由以下质量百分数的元素组成：

Cr：18％、Mn：0.5％、Si：0.85％、C：0.12％、S：0.03％、Ni：0.55％、余量为Fe和其他不可避免杂质；

所述复合过渡层由SiC层、铬层、镍层组成；

制备方法如下：

在压电陶瓷片一侧表面依次沉积SiC层、铬层，将镍加热熔融作为钎料，将金属片与铬层钎焊，再经600-650℃退火1-5h后，恢复室温即可；

压电陶瓷片的制备方法如下：

按照计量比，称取Na₂CO₃、K₂CO₃、Nb₂O₅、Ta₂O₅混合均匀后球磨5-10h，烘干后升温至700-750℃一次预烧2-3h，恢复室温后再与CuO混合均匀，球磨5-10h，烘干后升温至800-850℃二次预烧1-2h，恢复室温后造粒、压制，升温至500-600℃排胶1-2h后，再升温至1200-1250℃烧结2-3h，炉冷至室温，被银极化即可；

SiC层位于压电陶瓷片一侧，镍层位于金属片一侧，铬层位于SiC层和镍层之间。

2.如权利要求1所述的陶瓷-金属复合雾化片，其特征在于，所述密集雾化区的直径≤所述孔体的直径。

3.如权利要求1所述的陶瓷-金属复合雾化片，其特征在于，所述密集雾化区由若干个锥形孔组成，所述锥形孔靠近压电陶瓷片一侧的孔径小于远离压电陶瓷片一侧的孔径。

4.如权利要求1所述的陶瓷-金属复合雾化片，其特征在于，SiC层的厚度为1-10μm，铬层厚度为1-10μm、镍层厚度为5-20μm。

5.如权利要求1所述的陶瓷-金属复合雾化片，其特征在于，沉积SiC层、铬层的方法选自气相沉积法、热喷涂法、超声波法、化学沉积法、等离子注入法、真空蒸镀法、磁控溅射法中的任意一种。