[发明专利]一种制备CsPbBr3 有效
| 申请号： | 202110890842.9 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113668054B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;董顺洪 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B25/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 孙迪 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 cspbbr base sub | ||
1.一种制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨得到混合物；
S2、将所述混合物放入双温区管式炉的上游区，将SiO2/Si基片放入双温区管式炉的下游区，在步骤S2中，将所述SiO2/Si基片放入第一石英管中，再将第一石英管放入所述双温区管式炉的下游区；并向双温区管式炉中通入惰性气体；所述混合物在双温区管式炉中反应得到所述CsPbBr3单晶；其中，所述上游区的温度为580～670℃，所述下游区的温度为300～380℃，双温区管式炉中的石英管的外径为80mm，所述第一石英管的外径为50mm；
在步骤S1中，CsBr和PbBr2的质量比为(0.05-1):(0.1-0.2)；
在步骤S2中，所述惰性气体的流速为100-150mL/min。
2.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S2之前，还包括清洗所述SiO2/Si基片：将SiO2/Si基片依次放于丙酮、乙醇和超纯水中超声处理。
3.根据权利要求2所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，将所述SiO2/Si基片放于所述丙酮、所述乙醇或者所述超纯水中超声处理的时间分别为20-30min。
4.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述惰性气体为氩气。
5.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述SiO2/Si基片的尺寸为1cm×1cm。
6.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述双温区管式炉中的反应时间为20-30min。
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