[发明专利]吸附板在审
申请号: | 202110893216.5 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN114551321A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 金泰完;权相民;朴惠贞;金准基;郑明教;郑熙锡 | 申请(专利权)人: | 吉佳蓝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;张敬强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附 | ||
1.一种吸附板,其吸附基板,所述吸附板的特征在于,包括:
上部板,在其上表面安放所述基板;
下部板,其与所述上部板间隔开而位于下部;
侧面板,其位于所述上部板与所述下部板之间,并以形成第一吸附空间和第二吸附空间的方式进行划分;
多个吸附孔,其贯通所述上部板而与所述第一吸附空间和所述第二吸附空间连通;
第一吸入孔,其以在所述第一吸附空间的内部形成真空的方式与所述第一吸附空间连通;以及
第二吸入孔,其以在所述第二吸附空间的内部形成真空的方式与所述第二吸附空间连通,
所述第二吸入孔根据所述基板的直径选择性地在所述第二吸附空间的内部形成真空。
2.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,
所述第一吸附空间的上面的形状为圆形状,
所述第二吸附空间的外侧壁和内侧壁的形状为曲线形状。
3.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,
所述第二吸附空间在相同的圆周线上形成有多个。
4.根据权利要求3所述的吸附板,其特征在于
多个所述第二吸附空间中相向的一对的形状为对称的形状。
5.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,
所述第一吸入孔和所述第二吸入孔贯通划分所述第一吸附空间和所述第二吸附空间的侧面板而形成,并且在所述第一吸入孔和所述第二吸入孔贯通所述侧面板的区域未形成有所述第一吸附空间和所述第二吸附空间。
6.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,
所述第一吸入孔形成为垂直地贯通所述下部板而与所述第一吸附空间连通,
所述第二吸入孔形成为垂直地贯通所述下部板而与所述第二吸附空间连通。
7.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,还包括:
第三吸附空间,其位于所述第二吸附空间的周边;以及
第四吸附空间,其位于所述第三吸附空间的周边。
8.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,
在所述吸附孔中,形成在所述上部板的下表面的孔的大小大于形成在所述上部板的上表面的孔的大小。
9.根据权利要求1所述的吸附板,其特征在于,包括:
泵,其连接于所述第一吸入孔和所述第二吸入孔;以及
第二开关,其在所述泵与所述第二吸入孔之间开闭吸入,
所述第二开关根据所述基板的直径决定开闭与否。
10.根据权利要求9所述的吸附板,其特征在于,
所述吸附板形成有第二基板感测传感器,该第二基板感测传感器感测是否在所述上部板安放了对应于所述第二吸附空间的直径的所述基板,
根据所述第二基板感测传感器的感测结果决定所述第二开关的开闭与否。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造