[发明专利]一种钙钛矿晶体、其制备方法及X射线探测器

权利要求书

1.一种钙钛矿晶体，其特征在于，所述的钙钛矿晶体包括：钙钛矿单晶和钝化层；

其中，所述的钝化层为由钙钛矿单晶的表面缺陷与A¹X¹结合所形成的结构；

且所述钙钛矿晶体不含未与所述钙钛矿单晶的表面缺陷结合的A¹X¹；

所述A¹为铵根阳离子、甲胺阳离子、甲脒阳离子、铯离子、铷离子、二甲胺阳离子、乙胺阳离子、丙胺阳离子、丁胺阳离子、己二胺阳离子、苯乙胺阳离子和金刚烷胺阳离子中的一种或多种；

所述X¹为卤素离子、硫氰根离子或硫酸根离子。

2.如权利要求1所述的钙钛矿晶体，其特征在于，

所述钝化层的厚度为0.1-3nm；

和/或，所述A¹为铵根阳离子、甲胺阳离子、甲脒阳离子、铯离子和铷离子中的一种或多种；优选为甲胺阳离子；

和/或，当所述X¹离子为卤离子时，所述的卤离子为氟离子、碘离子、溴离子或氯离子；例如碘离子、溴离子和氯离子中的一种或多种；

和/或，所述X¹离子为卤素离子；例如碘离子；

和/或，所述钙钛矿单晶为三维钙钛矿、二维钙钛矿、二维三维混合钙钛矿、零维钙钛矿、或者双钙钛矿；当所述钙钛矿单晶为三维钙钛矿时，所述三维钙钛矿的分子式可为ABX₃；当所述钙钛矿单晶为二维钙钛矿和/或二维三维混合钙钛矿时，所述二维钙钛矿和所述二维三维混合钙钛矿的分子式可独立地为M₂A_n-1B_nX_3n+1；其中，n为正整数；当所述钙钛矿单晶为零维钙钛矿时，所述零维钙钛矿分子式可为A₃C₂X₉；当所述钙钛矿单晶为双钙钛矿时，所述双钙钛矿分子式可为A₂CDX₆；所述的A优选为铵根阳离子、甲胺阳离子CH₃NH₃⁺、甲脒阳离子、二甲胺阳离子、铯离子和铷离子中的一种或多种，例如甲胺阳离子；所述B优选为铅二价阳离子、锡二价阳离子和锗二价阳离子中的一种或多种，例如铅二价阳离子；所述C优选为铋三价阳离子、锑三价阳离子、铝三价阳离子、铟三价阳离子、镓三价阳离子中的一种或多种，例如铋三价阳离子；所述D优选为银一价阳离子、锂一价阳离子、钠一价阳离子、钾一价阳离子、铷一价阳离子中的一种或多种，例如银一价阳离子；所述X优选为碘离子、溴离子和氯离子中的一种或多种，例如碘离子；所述M优选为苯乙胺阳离子、乙胺阳离子、丙胺阳离子、丁胺阳离子、己二胺阳离子和金刚烷胺阳离子中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的钙钛矿晶体，其特征在于，所述钙钛矿单晶的分子式为CH₃NH₃PbI₃；

和/或，所述A¹X¹为CH₃NH₃I。

4.一种钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将含有A¹X¹的溶液涂布于钙钛矿单晶表面，形成钝化层即可；所述的A¹X¹为不过量或者过量；

当所述的A¹X¹为过量时，还包括除去所述的过量的A¹X¹即可；

所述A¹X¹如权利要求1-3中任一项所述。