[发明专利]GaN基增强型功率晶体管在审
| 申请号： | 202110893839.2 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115939200A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄森;蒋其梦;冯超;郭富强;王鑫华;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 增强 功率 晶体管 | ||
1.一种GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
缓冲层，形成于所述衬底之上；
薄势垒层，形成于所述缓冲层之上，与所述缓冲层形成异质结；
盖帽层，形成于所述薄势垒层之上；
钝化层，形成于所述薄势垒层之上，用于恢复栅极区域之外的异质结中的二维电子气；
源极和漏极，分别形成于所述缓冲层的未设置有所述钝化层、所述薄势垒层和所述盖帽层的两端表面之上；以及
栅极，形成于所述盖帽层之上。
2.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述薄势垒层的材料采用铝氮二元合金、铝镓氮三元合金、铝铟氮三元合金、铟镓氮三元合金、铝铟镓氮四元合金中的其中之一。
3.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述薄势垒层的厚度小于10nm。
4.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述盖帽层的材料采用非故意掺杂的GaN或者非故意掺杂的InGaN，其中，In组分介于0～100％之间。
5.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述盖帽层的厚度高于40nm。
6.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述栅极区域以外的盖帽层，全部或部分被刻蚀。
7.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述钝化层采用金属有机化合物化学气相沉积法、低压力化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或原子层沉积法制备。
8.根据权利要求1所述的GaN基增强型功率晶体管，其特征在于，所述钝化层的材料采用氮化硅、二氧化硅或氮化铝。
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