[发明专利]量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备

权利要求书

1.量子点，包括

包括第一半导体纳米晶体的芯，和

设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成，

其中所述量子点不包括镉，

其中所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，

其中所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，和

其中所述量子点进一步包括碱土金属。

2.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体不包括磷化铟。

3.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒。

4.如权利要求3所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于0:1且小于或等于0.1:1。

5.如权利要求1所述的量子点，其中所述碱土金属包括钡、锶、钙、镁、或其组合。

6.如权利要求5所述的量子点，其中所述碱土金属存在于所述半导体纳米晶体壳中。

7.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，按照一摩尔的锌，所述碱土金属的量大于或等于0.001摩尔且小于或等于1摩尔。

8.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括硫化钡、硫化钙、硫化镁、硒化钙、硒化钡、钡锌硒化物、钙锌硒化物、镁锌硒化物、或其组合。

9.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括

设置在所述芯上的第一壳层，和

设置在所述第一壳层上的第二壳层，所述第一壳层包括第二半导体纳米晶体，并且所述第二壳层包括不同于所述第二半导体纳米晶体的第三半导体纳米晶体。

10.如权利要求9所述的量子点，其中

所述第二半导体纳米晶体包括锌和硒、以及任选地硫，和

所述第三半导体纳米晶体包括硫，和

所述第二半导体纳米晶体、所述第三半导体纳米晶体、或其组合包括所述碱土金属。

11.如权利要求9所述的量子点，其中

所述第二壳层为最外面的层，和

所述第三半导体纳米晶体包括硫化锌、碱土金属硫化物、或其组合。

12.如权利要求9所述的量子点，其中所述第二半导体纳米晶体包括硒化锌。

13.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的光致发光峰波长小于或等于580纳米。

14.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的光致发光峰波长小于或等于480纳米。

15.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有大于或等于7纳米且小于或等于50纳米的尺寸。

16.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有大于或等于80％的量子效率。

17.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有大于或等于95％的量子效率。

18.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的光致发光峰的半宽度小于或等于35纳米。

19.如权利要求1所述的量子点，其中

所述量子点包括硒和硫，和

在所述量子点中，硫对硒的摩尔比大于或等于0.05:1且小于或等于2:1。