[发明专利]具有垂直转移栅极和正方形复位以及源极跟随器布局的图像传感器

权利要求书

1.一种包括光电二极管单元的阵列的CMOS图像传感器，其中多个光电二极管单元的每个包括：

第一掩埋光电二极管、第二掩埋光电二极管、第三掩埋光电二极管和第四掩埋光电二极管，每个光电二极管通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散，

耦接到浮动节点扩散的复位晶体管，

具有耦接到浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管，以及

具有耦接到源极跟随器晶体管的源极的漏极的读取选择晶体管；

其中复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有以与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度为方向的栅极和形状边缘，并且垂直地形成在光电二极管阵列的光电二极管上方，且与光电二极管阵列的二极管形成在相同的集成电路中。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，源极跟随器晶体管具有“U”形。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，读取选择晶体管具有“U”形。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，复位晶体管具有“U”形。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，源极跟随器晶体管通过读取选择晶体管耦接到位线，并且其中读取选择晶体管覆盖在第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管或第四光电二极管中的至少一个之上。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，源极跟随器晶体管具有“O”形。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，复位选择晶体管具有“O”形。

8.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，读取选择晶体管具有“O”形。

9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，在多个光电二极管单元中，源极跟随器晶体管通过读取选择晶体管耦接到位线，并且其中读取选择晶体管覆盖在第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管或第四光电二极管中的至少一个之上。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其中复位晶体管和源极跟随器晶体管是N沟道晶体管。

11.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有以与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角成45度为方向的栅极和形状边缘，并且垂直地形成在光电二极管阵列的光电二极管的上方，并且在与光电二极管阵列的光电二极管相同的集成电路中。

12.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中源极跟随器具有线性栅极，所述线性栅极与穿过光电二极管阵列的一行光电二极管绘制的线成30至60度之间的角度。

13.一种生成电子图像的方法，包括：

通过导通复位晶体管和至少一个垂直转移栅极晶体管来复位图像传感器的光电二极管阵列的一行光电二极管的掩埋光电二极管，其中复位晶体管被配置为主要在掩埋光电二极管的顶部并且具有与穿过光电二极管阵列的一行光电二极管的光电二极管绘制的线成30到60度的角度定位的主要边缘；

关闭复位晶体管和垂直转移栅极晶体管，然后等待曝光时间；以及

导通垂直转移栅极晶体管以将掩埋光电二极管耦接到源极跟随器，所述源极跟随器具有选自线性栅极、围绕读取选择晶体管的“U”形和围绕读取选择晶体管的“O”形的形状的栅极。