[发明专利]超硬增透薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种超硬增透薄膜，其特征在于，包括超硬膜层以及交替层叠设置的低折射率膜层、高折射率膜层，所述低折射率膜层的折射率低于所述高折射率膜层的折射率，所述低折射率膜层和/或所述高折射率膜层上连接有所述超硬膜层。

2.根据权利要求1所述的超硬增透薄膜，其特征在于，最外层的所述低折射率膜层或所述高折射率膜层上连接有所述超硬膜层。

3.根据权利要求2所述的超硬增透薄膜，其特征在于，至少一组相邻的所述低折射率膜层与所述高折射率膜层之间穿插有所述超硬膜层。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述高折射率膜层的材料选自SiTiN_x、SiCrN_x、SiN_x、SiNC_x、TiN_x、TiC_x、TiNC_x、CrN_x、CrC_x、CrNC_x、SiCrC_x、SiCrNC_x、SiTiC_x和SiTiNC_x中的一种，其中x取值1-6。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述低折射率膜层的材料选自SiO_y和SiON_y中的一种，其中y取值1-6。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述超硬膜层的材料选自SiTiNC_z、SiCrN_z、SiNC_z、TiN_z、TiC_z、TiNC_z、CrN_z、CrC_z、CrNC_z、SiCrC_z、SiCrNC_z和SiTiC_z中的一种，其中z取值1-6。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述超硬膜层的厚度为0.1nm～5nm。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述高折射率膜层的折射率为1.9-2.6。

9.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述低折射率膜层的折射率为1.42-1.6。

10.根据权利要求1-3任意一项所述的超硬增透薄膜，其特征在于，所述超硬膜层的硬度为15GPa～20GPa。

11.一种权利要求1-10任意一项所述的超硬增透薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对用于制备低折射率膜层的材料采用磁控溅射成膜，形成所述低折射率膜层；

对用于制备高折射率膜层的材料采用磁控溅射成膜，形成所述高折射率膜层；

将用于制备超硬膜层的材料采用磁控溅射成膜，形成所述超硬膜层。

12.根据权利要求11所述的超硬增透薄膜的制备方法，其特征在于，所述对用于制备低折射率膜层的材料采用磁控溅射成膜的工艺为：在小于5.0×10^-3Pa的真空状态下成膜，成膜过程中靶材溅射功率为5KW～25KW，离化源功率1KW～5KW，氮气流量为100sccm～500sccm，C₂H₂流量为1sccm～10sccm，C₂H₂占比比例为0.1％～2％。

13.根据权利要求11或12所述的超硬增透薄膜的制备方法，其特征在于，制备超硬膜层的材料选自SiTiNC_z，其中SiTiNC_z的Ti、Si摩尔比为99～99.9:1～0.1。