[发明专利]像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置

说明书

一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置。该像素电路包括驱动电路、数据写入电路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、第一初始化电路、第二初始化电路。驱动电路配置为控制驱动电流；数据写入电路配置为将数据信号写入所述驱动电路的控制端；第一初始化电路配置为将第一初始化电压施加至驱动电路的控制端；第一初始化电路包括第一晶体管，数据写入电路包括第二晶体管，驱动电路包括第三晶体管，第一晶体管的第一有源层的半导材料的漏电流特性小于第三晶体管的第三有源层的半导材料的漏电流特性，第二晶体管的第二有源层的半导材料的漏电流特性小于第三晶体管的第三有源层的半导材料的漏电流特性。该像素电路可以实现低频驱动。

技术领域

本公开的实施例涉及一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装 置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置由于 具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件更高的发 光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点， 有机发光二极管(OLED)可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相 机、仪器仪表等具有显示功能的装置。

OLED显示装置中的像素电路一般采用矩阵驱动方式，根据每个像素单 元中是否引入开关元器件分为有源矩阵(Active Matrix，AM)驱动和无源矩 阵(Passive Matrix，PM)驱动。PMOLED虽然工艺简单、成本较低，但因 存在交叉串扰、高功耗、低寿命等缺点，不能满足高分辨率大尺寸显示的需 求。相比之下，AMOLED在每一个像素的像素电路中都集成了一组薄膜晶 体管和存储电容，通过对薄膜晶体管和存储电容的驱动控制，实现对流过OLED的电流的控制，从而使OLED根据需要发光。相比PMOLED，AMOLED 所需驱动电流小、功耗低、寿命更长，可以满足高分辨率多灰度的大尺寸显 示需求。同时，AMOLED在可视角度、色彩的还原、功耗以及响应时间等 方面具有明显的优势，适用于高信息含量、高分辨率的显示装置。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种像素电路，包括：驱动电路、数据写入电 路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、第一初始化电路、第二初始化 电路和储能电路，所述驱动电路包括控制端、第一端和第二端，且配置为控 制流经所述第一端和所述第二端的用于驱动所述发光元件发光的驱动电流； 所述数据写入电路被配置为在第一扫描信号的控制下将数据信号写入所述 驱动电路的控制端；所述第一发光控制电路被配置为在第一发光控制信号的 控制下将第一电源端的第一电源电压施加至所述驱动电路的第一端；所述第 二发光控制电路被配置为在第二发光控制信号的控制下将来自所述驱动电 路的第二端的所述驱动电流施加至所述发光元件；所述第一初始化电路被配 置为在第一复位控制信号的控制下将第一初始化电压施加至所述驱动电路 的控制端；所述第二初始化电路被配置为在第二复位控制信号的控制下将第 二初始化电压施加至所述驱动电路的第二端；所述储能电路被配置为存储写 入到所述驱动电路的控制端的所述数据信号，第一初始化电路包括第一晶体 管，所述数据写入电路包括第二晶体管，所述驱动电路包括第三晶体管，第 一晶体管的第一有源层的半导材料的漏电流特性小于所述第三晶体管的第 三有源层的半导材料的漏电流特性；所述第二晶体管的第二有源层的半导材 料的漏电流特性小于所述第三晶体管的第三有源层的半导材料的漏电流特 性。

例如，本公开一实施例提供的像素电路，所述第一晶体管的第一有源层 的半导材料和所述第二晶体管第二有源层的半导材料相同。

例如，本公开一实施例提供的像素电路，所述第一晶体管的第一有源层 的半导材料为氧化物半导体；所述第三晶体管的第三有源层的多晶硅半导材 料。

例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述氧化物半导体为氧化 铟半导体材料；所述多晶硅半导材料为低温多晶硅半导体材料。

例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述第一发光控制电路、 所述第二发光控制电路，所述第二初始化电路分别包括的晶体管的有源层的 半导材料与所述第三晶体管的第三有源层的半导材料相同且同层设置。