[发明专利]一种新型TO-263引线框架

说明书

本发明公开了一种新型TO‑263引线框架，涉及半导体封装技术领域。该引线框架可提高爬电电压、增大载体面积以及节约铜材。包括：散热区、载片区、引脚区；散热区设置在载片区的上方，所述散热区和所述载片区之间设置有椭圆形锁胶槽；所述引脚区设置在所述载片区下方，且所述引脚区下方设置边框；所述引脚区设置有第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚以及和所述载片区之间相互隔离。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，更具体的涉及一种新型TO-263引线框架。

背景技术

传统H2PAK产品作为TO-263系列优化版产品，因其引脚与载体相分离而具有良好的内绝缘，在市场广泛使用，但是传统H2PAK产品，引线框架设计为三个引脚，在切筋成型中切除中间引脚，由于对产品可靠性、分层等因素考量，中间引脚不会从塑封体根部切除，所以中间引脚会有一些残留，但当产品电压增大之后，中间引脚存在打火问题，易导致产品损坏。为了解决中间引脚打火问题以及增大载体尺寸，保证高压输出时安全爬电距离，增加封装产品的可靠性，因此需要对现有H2PAK封装结构做出改进。

发明内容

本发明实施例提供一种新型TO-263引线框架，该引线框架可提高爬电电压、增大载体面积以及节约铜材。

本发明实施例提供一种新型TO-263引线框架，包括：散热区、载片区、引脚区；

散热区设置在载片区的上方，所述散热区和所述载片区之间设置有椭圆形锁胶槽；

所述引脚区设置在所述载片区下方，且所述引脚区下方设置边框；

所述引脚区上设置有第一引脚和第二引脚，所述载片区和所述第一引脚及所述第二引脚之间相互隔离。

优选地，还包括第一引脚焊接区和第二引脚焊接区；

所述第一引脚焊接区的右上角设置第一拐角，所述第二引脚焊接区的右上角和左下角分别设置第二拐角和第三拐角，且第一拐角、第二拐角和第三拐角所包括的斜边相互平行；

所述第一引脚与所述第一引脚焊接区连接，所述第二引脚与所述第二引脚焊接区连接。

优选地，所述载片区和第一引脚焊接区及第二引脚焊接区之间的水平距离为0.30mm，垂直距离为1.30mm；

所述第一引脚和所述第二引脚之间的距离为5.08mm。

优选地，所述第一拐角、第二拐角和第三拐角的角度均介于40°～50°之间；

所述第二引脚焊接区的面积是所述第一引脚焊接区的面积的1.8倍～2.4倍。

优选地，所述第一引脚与所述第一引脚焊接区相接部分设置有半圆形锁胶槽和第一引脚V槽，所述半圆形锁胶槽位于所述第一引脚和所述第一引脚焊接区相接部分且靠近所述第二引脚焊接区的一侧；

所述第二引脚与所述第二引脚焊接区相接部分设置有圆形锁胶槽和第二引脚V槽，所述圆形锁胶槽位于所述第二引脚和所述第二引脚焊接区相接部分内。

优选地，所述散热区和所述载片区之间还包括有第四拐角和燕尾槽；

所述椭圆形锁胶槽为正面和反面依次经冲压成型，所述椭圆形锁胶槽厚度为1.3mm；

所述椭圆形锁胶槽正面长3.8mm，宽1.2mm；所述椭圆形锁胶槽反面长3.6mm，宽1mm；

封装后的所述椭圆形锁胶槽内填充塑封料。

优选地，所述载片区四周设置第一V槽；所述载片区左右两个侧边设置阶梯状半冲压结构，且阶梯状半冲压结构位于所述第一V槽远离所述载片区的一侧；

所述载片区包括一个基岛；或者所述载片区包括两个基岛。