[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

基板；

多个晶体管单元，在上述基板的表面沿第一方向排列配置，每一个晶体管单元包含至少一个单位晶体管；以及

集电极电极，分别配置在相互相邻的两个晶体管单元之间，

作为上述多个晶体管单元中的至少一个晶体管单元的第一晶体管单元包含沿上述第一方向排列的多个单位晶体管，

上述多个单位晶体管相互并联连接，

上述多个单位晶体管中的每一个单位晶体管包含集电极层、配置在集电极层之上的基极层、配置在基极层之上的发射极层、与基极层电连接的基极电极、以及与发射极层电连接的发射极电极，

上述集电极电极与在上述第一方向上相邻的晶体管单元所包含的单位晶体管的集电极层电连接，

在上述第一晶体管单元中，

上述多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿上述第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在上述多个单位晶体管之间相同，

在注目于一个上述第一晶体管单元时，发射极电极间距的最大值比单元间距中较短的单元间距的1/2短，上述发射极电极间距是在所注目的上述第一晶体管单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的上述第一方向上的距离，上述单元间距是所注目的上述第一晶体管单元与和所注目的上述第一晶体管单元相邻的晶体管单元之间的上述第一方向上的特定距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述第一晶体管单元中，上述多个单位晶体管各自的发射极电极与基极电极之间的上述第一方向上的间隔在上述多个单位晶体管之间相同。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，

上述多个晶体管单元各自所包含的多个单位晶体管的个数相等，在上述多个晶体管单元内的相互相邻的两个发射极电极的全部组合中发射极电极间距恒定，上述多个晶体管单元的单元间距也恒定。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

上述多个单位晶体管各自的发射极层以及基极层在俯视时与其它的单位晶体管的发射极层以及基极层分离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述多个单位晶体管各自的集电极层在俯视时与其它的单位晶体管的集电极层分离。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述多个单位晶体管各自的集电极层包含低浓度集电极层和高浓度集电极层，低浓度集电极层配置在高浓度集电极层与基极层之间，低浓度集电极层的掺杂浓度为高浓度集电极层的掺杂浓度的1/10以下，低浓度集电极层在俯视时与其它的单位晶体管的低浓度集电极层分离。

7.根据权利要求4～6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

上述多个单位晶体管各自的发射极层以及基极层通过从发射极层以及基极层的边缘朝向上述基板的阶梯差，而在俯视时与其它的单位晶体管的发射极层以及基极层分离。

8.根据权利要求4～6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

上述多个单位晶体管各自的发射极层以及基极层分别由跨越上述多个单位晶体管配置的半导体层的一部分构成，相互相邻的单位晶体管的发射极层之间以及基极层之间的上述半导体层通过杂质的添加而绝缘化。

9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置，其中，还包含：

高频信号输入布线，设置于上述基板，被供给高频信号；

直流偏置输入布线，设置于上述基板，被供给直流偏置；以及

电容元件以及电阻元件，按照上述多个单位晶体管的每一个基极电极进行配置，

上述电容元件将对应的基极电极与上述高频信号输入布线连接，

上述电阻元件将对应的基极电极与上述直流偏置输入布线连接。

10.根据权利要求1～9中的任意一项所述的半导体装置，其中，

作为上述多个晶体管单元中的上述第一晶体管单元以外的晶体管单元的第二晶体管单元所包含的单位晶体管的发射极电极与基极电极的俯视时的位置关系与上述第一晶体管单元所包含的单位晶体管的发射极电极与基极电极的俯视时的位置关系不同。