[发明专利]晶圆结构

权利要求书

1.一种晶圆结构，包含：

一芯片基板，为一硅基材，以12英吋以上晶圆的半导体制程制出；

至少一个喷墨芯片，以半导体制程制直接生成于该芯片基板上，并切割成至少一个喷墨芯片实施应用于喷墨打印；

其中，该喷墨芯片包含：

多个墨滴产生器，以半导体制程制出生成于该芯片基板上，该墨滴产生器包含一热障层、一加热电阻层、一导电层、一保护层、一障壁层、一供墨腔室及一喷孔，该热障层形成于该芯片基板上，该加热电阻层形成于该热障层上，而该导电层及该保护层的一部分形成于该加热电阻层上，且该保护层的其他部分形成于该导电层上，而该障壁层形成于该保护层上，以及该供墨腔室及该喷孔一体成型生成于该障壁层中，且该供墨腔室底部连通该保护层，该供墨腔室顶部连通该喷孔，而该喷墨芯片配置成沿纵向延伸相邻个该墨滴产生器保持一间距的多个纵向轴列组，以及配置成沿水平延伸相邻个该墨滴产生器保持一中心阶差间距的多个水平轴行组，该中心阶差间距为1/600英吋以下，其中该保护层连续部分的顶面形成该供墨腔室底部，其中该障壁层包含两个相对内侧壁形成该供墨腔室两个相对侧，每一该障壁层的该两个相对内侧壁，从该保护层连续部分的顶面的两个相对侧，各自朝向该喷孔连续延伸，该障壁层的该两个相对内侧壁完全且直接地重迭于该导电层，该两个相对内侧壁垂直于该供墨腔室底部；

至少一供墨流道，该供墨流道提供一墨水，该供墨流道连通每个墨滴产生器，其中该至少一个供墨流道与该多个墨滴发生器中的每一该供墨腔室之间形成一供墨路径，且该供墨路径设置在一个平行于该供墨腔室底部的水平面上，以从该至少一供墨流道供应墨水到该供墨腔室。

2.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该芯片基板以12英吋晶圆的半导体制程制出。

3.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该芯片基板以16英吋晶圆的半导体制程制出。

4.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该喷墨芯片包含该至少一供墨流道及多个岐流道以半导体制程制出，以及该供墨流道连通多个该岐流道，且多个该岐流道连通每个墨滴产生器的该供墨腔室。

5.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该中心阶差间距为1/600英吋~1/1200英吋。

6.如权利要求5所述的晶圆结构，其特征在于，该中心阶差间距为1/720英吋。

7.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该中心阶差间距为1/1200英吋~1/2400英吋。

8.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该中心阶差间距为1/2400英吋~1/24000英吋。

9.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该中心阶差间距为1/24000英吋~1/48000英吋。

10.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以90纳米以下的半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

11.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以90~65纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

12.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以65~45纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

13.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以45~28纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

14.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以28~20纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。