[发明专利]制造直拉硅晶片的方法

权利要求书

1.一种制造直拉硅晶片(130)的方法，所述方法包括：

在提取时间段内从包括主要为n型的掺杂剂的硅熔体(110)提取直拉硅晶锭(112)；

通过控制由硼源向硅熔体(110)的硼供给来在至少部分提取时间段内将硼引入到直拉硅晶锭(112)中；

确定沿着直拉硅晶锭(112)的晶轴(x)的特定电阻率、硼浓度和碳浓度；

将直拉硅晶锭(112)或直拉硅晶锭(112)的区段划分成直拉硅晶片(130)；

取决于特定电阻率、硼浓度和碳浓度中的至少两个来确定至少两组(1341,1342)的直拉硅晶片(130)。

2.根据前项权利要求所述的方法，其中所述至少两组(1341，1342)中的一组的每个直拉硅晶片(130)的硼浓度小于3.0×10¹³cm^-3，并且其中所述至少两组(1341，1342)中的另一组的每个直拉硅晶片(130)的硼浓度大于3.0×10¹³cm^-3。

3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中所述至少两组(1341，1342)中的一组的每个直拉硅晶片(130)的碳浓度小于1.5×10¹⁵cm^-3，并且其中所述至少两个组(1341，1342)中的另一组的每个直拉硅晶片(130)的碳浓度大于1.5×10¹⁵cm^-3。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中直拉硅晶锭(112)的长度为至少0.3m。

5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中直拉硅晶锭(112)的直径为至少300mm。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中确定沿着直拉硅晶锭(112)的晶轴(x)的硼浓度和碳浓度涉及傅立叶变换红外光谱(FTIR)、二次离子质谱(SIMS)、X射线荧光光谱、光致发光光谱中的至少之一。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在提取直拉硅晶锭(112)的至少一部分之后将硼供给接通或增加至少一次。

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，进一步包括：

准备标记，标记被配置为在所述至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)之间进行区分；以及

包装所述至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)。

9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中所述至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)中的直拉硅晶片(130)被包装在同一装运容器中。

10.根据权利要求8所述的方法，其中标记通过装运容器中的至少一个位置或通过直拉硅晶片(130)上的记号来在所述至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)之间进行区分。

11.根据权利要求1至8中的任何一项所述的方法，其中所述至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)中的直拉硅晶片(130)被包装在分离的装运容器中。

12.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中控制由硼源进行的硼供给包括如下中的至少之一：i)控制包括硼的颗粒的大小、几何形状和输送速率中的至少之一；ii)控制硼载气的流动或部分压力；iii)控制被使得与硅熔体接触的源材料的量并且更改源材料的温度，其中源材料掺杂有硼。

13.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，进一步包括确定沿着直拉硅晶锭(112)的晶轴(x)的氧浓度。