[发明专利]一种单晶硅片的制绒方法及应用

权利要求书

1.对单晶硅片进行第一次制绒，在硅片表面形成类金字塔结构；

对单晶硅片进行第N次制绒，在硅片表面的类金字塔结构上形成细微纳米结构，其中N≥2；

第一次制绒的制绒液包括第一制绒添加剂和第一碱溶液的混合溶液，第N次制绒的制绒液包括第二制绒添加剂和第二碱溶液的混合溶液，所述第一制绒添加剂和所述第二制绒添加剂的组分可相同或不相同。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，

第一次制绒步骤中，制绒液中第一制绒添加剂的质量百分比浓度为0.1~1.0%，第一碱溶液的质量百分比浓度为0.5~5%，制绒温度为80~85℃，制绒时间为250~350s；

第N次制绒步骤中，制绒液中第二制绒添加剂的质量百分比浓度为0.1~0.6%，第二碱溶液的质量百分比浓度为0.5~3%，制绒温度为75~85℃，制绒时间为50~150s。

3.根据权利要求2所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，第一次制绒的制绒液还包括第三制绒添加剂，第N次制绒的制绒液还包括第四制绒添加剂，所述第一制绒添加剂和所述第二制绒添加剂用于制绒液的初始液，所述第三制绒添加剂和所述第四制绒添加剂用于制绒过程的补加液，所述第一制绒添加剂、所述第二制绒添加剂、所述第三制绒添加剂与所述第四制绒添加剂的组分可相同或不相同。

4.根据权利要求3所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一制绒添加剂、所述第二制绒添加剂、所述第三制绒添加剂与所述第四制绒添加剂均由绒面成核剂、绒面缓蚀剂、微结构修饰剂、稳定剂以及余量的去离子水组成，通过调整绒面成核剂、绒面缓蚀剂、微结构修饰剂以及稳定剂中的各组分使其相同或不相同。

5.根据权利要求1所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，在对单晶硅片进行第一次制绒之前还包括对单晶硅片进行预清洗。

6.根据权利要求5所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，所述预清洗的溶液为质量百分比浓度0.5~3%的无机碱水溶液与质量百分比浓度1~10%双氧水或质量百分比浓度0.1~1%的清洗剂所组成的混合液。

7.根据权利要求5所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，在对硅片进行预清洗之前还包括对单晶硅片进行粗抛处理。

8.根据权利要求7所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，所述粗抛处理的溶液为质量百分比浓度0.1~5%的无机碱性水溶液，温度60~80℃，时间60~180s。

9.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅片，所述单晶硅片的表面绒面采用如权利要求1-8中任一项所述的单晶硅片的制绒方法制得。