[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202110901721.X | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113629214A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 蔡雨 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L33/58;H01L27/15 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张育英 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
发光单元,位于所述衬底的一侧;
第一光提取层,位于所述发光单元远离所述衬底的一侧;沿所述衬底的法线方向,所述第一光提取层与所述发光单元至少部分交叠;所述第一光提取层远离所述衬底的表面包括多个第一开口;所述第一光提取层包括用于形成所述第一开口的第一侧面,以及与所述第一侧面相交且靠近所述衬底的一侧的第一底面;所述第一侧面与所述第一底面的夹角α1满足0<α1<90°;
第二光提取层,所述第二光提取层包括多个子提取结构,相邻两个所述子提取结构在所述衬底所在平面的正投影之间具有预设距离;沿所述衬底的法线方向,所述子提取结构与所述第一光提取层的第一侧面至少部分交叠;且,对于相互交叠的所述子提取结构与所述第一光提取层,所述子提取结构位于所述第一光提取层远离所述衬底的一侧;所述第二光提取层的折射率大于所述第一光提取层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述子提取结构包括金属氧化物粒子。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一光提取层远离所述衬底的表面还包括多个第二开口;沿所述衬底的法线方向,所述第二开口与所述第一开口不交叠;
至少部分所述子提取结构位于所述第二开口内。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
沿所述衬底的法线方向,所述第二开口与所述发光单元不交叠。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一光提取层包括用于形成所述第二开口的第二侧面,以及与所述第二侧面相交且靠近所述衬底的一侧的第二底面;所述第二侧面与所述第二底面的夹角α2满足0<α2<90°。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一开口包括第一子开口和第二子开口;所述第一子开口的面积大于所述第二子开口的面积;
所述第二开口包括第三子开口和第四子开口,所述第三子开口至少部分围绕所述第一子开口,所述第四子开口至少部分围绕所述第二子开口;
所述第三子开口的宽度小于所述第四子开口的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括分隔部,所述分隔部位于相邻两个所述子提取结构之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述分隔部位于所述第一光提取层远离所述衬底的一侧;且,沿所述衬底的法线方向,所述分隔部与所述第一开口不交叠。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述分隔部的材料包括疏油材料。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述分隔部与所述第一光提取层为一体结构。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
位于所述第一开口内的所述子提取结构的厚度d1、所述分隔部的厚度d2和所述第一光提取层的厚度d3满足:d3≤d1≤d2+d3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择