[发明专利]晶圆结构

权利要求书

1.一种晶圆结构，包含：

一芯片基板，为一硅基材，以至少12英吋以上晶圆的半导体制程制出；以及

至少一个喷墨芯片，以半导体制程制直接生成于该芯片基板上，并切割成至少一个喷墨芯片实施应用于喷墨打印。

2.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该芯片基板以12英吋晶圆的半导体制程制出。

3.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该芯片基板以16英吋晶圆的半导体制程制出。

4.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，该喷墨芯片包含：

多个墨滴产生器，以半导体制程制出生成于该芯片基板上，且每一该墨滴产生器包含一热障层、一加热电阻层、一导电层、一保护层、一障壁层、一供墨腔室及一喷孔。

5.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该热障层形成于该芯片基板上，该加热电阻层形成于该热障层上，而该导电层及该保护层的一部分形成于该加热电阻层上，且该保护层的其他部分形成于该导电层上，而该障壁层形成于该保护层上，以及该供墨腔室及该喷孔一体成型生成于该障壁层中，且该供墨腔室底部连通该保护层，该供墨腔室顶部连通该喷孔。

6.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该喷墨芯片包含至少一供墨流道及多个岐流道以半导体制程制出，其特征在于，该供墨流道提供一墨水，以及该供墨流道连通多个该岐流道，且多个该岐流道连通每个墨滴产生器的该供墨腔室。

7.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以90纳米以下的半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

8.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以65纳米至90纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

9.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以45纳米至65纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

10.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以28纳米至45纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

11.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以20纳米至28纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

12.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以12纳米至20纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

13.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以7纳米至12纳米半导体制程制出形成该喷墨控制电路。

14.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以2纳米半至7纳米导体制程制出形成该喷墨控制电路。

15.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为金属氧化物半导体场效晶体管的栅极。

16.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为互补式金属氧化物半导体的栅极。

17.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为N型金属氧化物半导体的栅极。

18.如权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，该供墨流道为1个至6个。

19.如权利要求18所述的晶圆结构，其特征在于，该供墨流道为1个，提供单色墨水。