[发明专利]一种确定硅片导电类型的方法

说明书

本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm^‑cm)可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言涉及一种确定硅片导电类型的方法。

背景技术

直拉法生长的单晶硅广泛用于制造半导体电子器件，通过掺杂可以生长出不同电阻率的硅晶体。对于某些器件要求如先进的无线通信应用、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和低功率、低泄漏器件，要求硅片有着很高电阻率(超过500ohm^-cm)。高阻值的硅片有利于减小器件间寄生电容的影响，器件可以更密集地堆积在硅片表面，同时可以降低器件间的信号传输损耗。

高阻值单晶硅通过掺入少量掺杂剂或不掺杂获得。硅片的电阻率高，其载流子浓度低(1E11-1E13 atom/cm³)，判断载流子的导电类型变得很困难，因此，导电类型的判别需要经过测量确定。但目前判定硅片导电类型的方法均只适用于低阻值硅片，且存在操作不方便、测试结果不可靠等问题。

因此需要进行改进，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本申请提供了一种确定硅片导电类型的方法，所述方法包括：

测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；

将所述硅片在空气中放置预设时间；

放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；

通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。

可选地，通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型包括：

若所述第一电阻率小于所述第二电阻率，则所述硅片为N型；

若所述第一电阻率大于所述第二电阻率，则所述硅片为P型。

可选地，在得到所述第一电阻率之前，所述方法还包括：

对所述硅片进行快速热处理，以去除所述硅片中的热施主。

可选地，所述快速热处理的温度范围为750℃-1250℃，时间范围为30-50s。

可选地，通过直排四探针测量所述硅片的所述第一电阻率和所述第二电阻率。

可选地，所述预设时间的范围为1h-168h。

可选地，所述硅片为电阻率高于500ohm^-cm的硅片。

可选地，所述硅片为单晶硅硅片。

可选地，将所述硅片在空气中放置预设时间，以使所述硅片的表面发生自然氧化和/或化学吸附。

为了解决目前存在的技术问题，本申请提供了一种确定硅片导电类型的方法，在所述方法中将硅片在空气中放置，并测量放置前后的第一电阻率和第二电阻率，通过比较第一电阻率和第二电阻率，以得到硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm^-cm)可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。

附图说明