[发明专利]蒸发式PECVD镀膜装置

权利要求书

1.一种蒸发式PECVD镀膜装置，包括：衬底、衬底加热单元、蒸发源、加热保温单元、气体进口单元、等离子体辉光区，其中，

所述衬底，用于沉积镀膜样品；

所述衬底加热单元，设置于所述衬底的底部，用于对所述衬底进行加热；

所述蒸发源，设置于所述衬底一侧，所述蒸发源内部放置有金属盐，对所述金属盐进行热蒸发，生成金属盐气体；

所述加热保温单元，设置于所述衬底上方，用于对所述金属盐气体进行加热并保温；

所述气体进口单元，与所述加热保温单元相连通，用于通入反应气体及惰性气体；

所述等离子体辉光区，形成于所述衬底和所述加热保温单元之间，用于产生等离子态的自由基团和活性原子。

2.根据权利要求1所述的镀膜装置，还包括：

支撑单元，设置于所述衬底加热单元底部，用于支撑所述衬底；

蒸发源喷口，设置于蒸发源顶部，所述蒸发源喷口朝向所述等离子体辉光区，用于将所述金属盐气体导入所述等离子体辉光区之内。

3.根据权利要求2所述的镀膜装置，其中，所述蒸发源喷口为三角锥形，所述蒸发源喷口的材质为氮化硼或石墨。

4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中，所述蒸发源内环绕设置水冷降温单元，所述水冷降温单元内设置有冷却水，所述冷却水温度为15～20℃。

5.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中，所述衬底加热单元为第一电阻丝加热器，所述第一电阻丝加热器中的电阻丝与所述衬底之间设置有导热板，所述导热板覆盖所述第一电阻丝加热器的表面，所述导热板的厚度为0.5～1cm。

6.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中，所述加热保温单元覆盖所述等离子辉光区的顶部，用于对所述等离子体辉光区进行加热并保温。

7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中，所述加热保温单元的温度介于所述蒸发源的温度和所述衬底加热单元的温度之间。

8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中，所述加热保温单元包括保温壳和第二电阻丝加热器，所述保温壳设置于所述第二电阻丝加热器的表面。

9.根据权利要求8所述的镀膜装置，其中，所述第二电阻丝加热器的电阻丝之间的距离为3～5mm；所述保温壳上均匀设置有多个气体通气口，用于将从所述气体进口单元进入的所述反应气体和所述惰性气体通过所述多个气体通气口进入所述等离子体辉光区。

10.根据权利要求9所述的镀膜装置，其中，所述气体通气口的直径为1～10mm，每个所述气体通气口之间的距离为10～20mm。