[发明专利]一种用于撬装油罐的液位仪通信模块及通信方法在审

专利信息
申请号: 202110906603.8 申请日: 2021-08-09
公开(公告)号: CN113490078A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 陈龙 申请(专利权)人: 成都趣油科技有限公司
主分类号: H04Q9/00 分类号: H04Q9/00;H04W36/30;G01F23/00;G16Y20/00;G16Y40/10
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 唐邦英
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 油罐 液位仪 通信 模块 方法
【权利要求书】:

1.一种用于撬装油罐的液位仪通信模块,其特征在于,包括:数据接收单元(1)、数据处理单元(2)、4G数据传输单元(3)和网络通讯切换单元(4);所述网络通讯切换单元(4)包括模拟电子开关(41)和两路物联网卡槽(42);所述数据接收单元(1)与撬装油罐的液位仪传感器通信连接;所述数据接收单元(1)、所述数据处理单元(2)和所述4G数据传输单元(3)依次连接;所述4G数据传输单元(3)与后台系统通信连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于撬装油罐的液位仪通信模块,其特征在于,所述模拟电子开关(41)包括模拟开关电路;所述两路物联网卡槽(42)包括第一卡槽电路和第二槽电路,所述第一槽电路和所述第二卡槽电路相同;

所述模拟开关电路包括:第一模拟开关芯片和第二模拟开关芯片,所述第一模拟开关芯片和所述第二模拟开关芯片相同,所述第一模拟开关芯片与所述第二模拟开关芯片通过IN1引脚连接在一起;所述第一模拟开关芯片的USIM_CLK引脚、USIM_DATA引脚和所述第二模拟开关芯片的USIM_RST引脚分别与所述4G数据传输单元(3)中的4G芯片连接;

所述第一卡槽电路包括:SIM卡座、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电源V1、电源V2和静电释放器;

所述SIM卡座的CLK引脚连接所述电阻R1的一端,所述SIM卡座的I/O引脚连接所述电阻R2的一端,所述SIM卡座的RST引脚连接所述电阻R3的一端,所述电阻R4的一端连接在所述电阻R2和所述SIM卡座之间,另一端连接电源V1;

所述电容C1的一端连接在所述电阻R3和所述SIM卡座之间,另一端接地;所述电容C2的一端连接在所述电阻R2和所述SIM卡座之间,另一端接地;所述电容C3的一端连接在所述电阻R1和所述SIM卡座之间,另一端接地;所述电容C4的一端连接电源V2,另一端接地;

所述SIM卡座的VCC引脚连接在所述电源V2和所述电容C4之间,所述SIM卡座的GND引脚接地;

所述静电释放器的引脚1连接在所述电容C2和所述SIM卡座之间,引脚2接地,引脚3连接在所述电容C1和所述SIM卡座之间,引脚4连接在所述电源V2和所述SIM卡座之间,引脚5连接在所述电阻R1和所述电容C3之间;

所述第一卡槽电路的电阻R1的另一端与所述第一模拟开关芯片的SIM_CLK_X1引脚连接,所述第一卡槽电路的电阻R2的另一端与所述第一模拟开关芯片的SIM_DATA_X1引脚连接,所述第一卡槽电路的电阻R3的另一端与所述第二模拟开关芯片的SIM_RST_X1引脚连接,所述第二卡槽电路的电阻R1的另一端与所述第一模拟开关芯片的SIM_CLK_X2引脚连接,所述第二卡槽电路的电阻R2的另一端与所述第一模拟开关芯片的SIM_DATA_X2引脚连接,所述第二卡槽电路的电阻R3的另一端与所述第二模拟开关芯片的SIM_RST_X2引脚连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于撬装油罐的液位仪通信模块,其特征在于,所述数据处理单元(2)包括MCU芯片和通信电路,所述通信电路包括:数据接收子电路和数据发送子电路;

所述数据接收子电路包括:电阻R5、电阻R6,电容C4、电源V3、电源V4、三极管M1和连接器P2;所述电阻R5的一端连接所述电源V3,另一端连接所述三极管M1的栅极;所述电容C4的一端连接在所述电阻R5和所述电源V3之间,另一端连接在所述电阻R5和所述三极管M1的栅极之间;所述连接器P2的第一引脚连接所述三极管M1的源级,所述连接器P2的第二引脚与所述MCU芯片的TX1引脚连接;所述电阻R6的一端连接所述三极管M1的漏极,另一端连接所述电源V4,;所述电阻R6与所述三极管M1的漏极之间连接所述4G芯片的RXD_EC200T引脚;

所述数据发送子电路包括:电阻R7、电阻R8,电容C5、电源V5、电源V6、三极管M2和连接器P1;所述电阻R7的一端连接所述电源V5,另一端连接所述三极管M2的栅极;所述电容C5的一端连接在所述电阻R7和所述电源V5之间,另一端连接在所述电阻R7和所述三极管M2的栅极之间;所述三极管M2的源级与所述4G芯片的TXD_EC200T引脚连接;所述电阻R8的一端连接所述三极管M2的漏极,另一端连接所述电源V6;所述连接器P2的第二引脚连接在所述三极管M2的漏极与所述电阻R8之间;所述连接器P2的第一引脚与所述MCU芯片的RX1引脚连接。

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