[发明专利]一种高集成2.5D封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110906696.4 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113451292A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 马晓建;刘卫东;高瑞锋;苏亚兰;张婕 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 2.5 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，包括Package Substrate(1)和埋die的硅Interposer(2)，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)的上下表面均开设有凹槽，所述埋die的硅Interposer(2)的凹槽内设置有预埋芯片(3)，埋die的硅Interposer(2)和预埋芯片(3)之间设置有胶水(6)，埋die的硅Interposer(2)的下表面设置有PackageSubstrate(1)，埋die的硅Interposer(2)的上表面的右侧设置有逻辑芯片(4)，埋die的硅Interposer(2)的上表面的左侧设置有HBM芯片(5)。
2.根据权利要求1所述的一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)的上表面的中间开设有凹槽，埋die的硅Interposer(2)的下表面的两侧均开设有凹槽，且下表面的两个凹槽呈对称分布，埋die的硅Interposer(2)的凹槽的形状和预埋芯片(3)的形状一致。
3.根据权利要求1所述的一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)的两端均开设有硅通孔(TSV)，埋die的硅Interposer(2)和预埋芯片(3)之间的缝隙通过胶水(6)填充，胶水(6)将预埋芯片(3)固定在埋die的硅Interposer(2)的凹槽中。
4.根据权利要求1所述的一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)上扇出有线路层。
5.根据权利要求1所述的一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)的下表面贴装到Package Substrate(1)的上表面，PackageSubstrate(1)的尺寸大于埋die的硅Interposer(2)，埋die的硅Interposer(2)和PackageSubstrate(1)之间设置有胶水(6)。
6.根据权利要求1所述的一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，其特征在于：所述埋die的硅Interposer(2)的上表面贴装有逻辑芯片(4)和HBM芯片(5)，且逻辑芯片(4)和HBM芯片(5)并排放置。
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