[发明专利]一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器

权利要求书

1.一种高抑制度电路结构，其特征在于：包括带阻电路和带通电路，所述带阻电路和带通电路均由声波滤波器和匹配单元组成，所述带阻电路包括第一输入端、第一输出端、第一串联谐振器组、第一并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第一输入端、第一输出端的第一匹配电感、第二匹配电感，所述带通电路包括第二输入端、第二输出端、第二串联谐振器组、第二并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第二输入端、第二输出端的第三匹配电感、第四匹配电感，所述第一输出端与第二输入端连接，所述第二匹配电感与第三匹配电感融合为独立匹配电感。

2.根据权利要求1所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述声波滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器或薄膜腔声波滤波器。

3.根据权利要求2所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述独立匹配电感的电感值等于第二匹配电感和第三匹配电感通过串联或并联后的等效值。

4.根据权利要求3所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述电路结构应用于滤波器制作时，所述独立匹配电感设置在基板上。

5.根据权利要求1所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述第一串联谐振器组包括第一串联谐振器，所述第一并联谐振器组包括第一并联谐振器、第二并联谐振器，所述第一串联谐振器设置在所述第一并联谐振器和第二并联谐振器之间，所述第一匹配电感设置在第一输入端和第一并联谐振器之间。

6.根据权利要求5所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述第二串联谐振器组包括第二串联谐振器、第三串联谐振器、第四串联谐振器，所述第二并联谐振器组包括第三并联谐振器、第四并联谐振器，所述第四匹配电感设置在第四串联谐振器和第二输出端之间。

7.根据权利要求6所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述独立匹配电感设置在第二并联谐振器和第二串联谐振器之间。

8.一种高隔离度双工器，其特征在于：所述双工器包括如权利要求1-7任一所述的电路结构。

9.一种高隔离度多工器，其特征在于：所述多工器包括如权利要求1-7任一所述的电路结构。