[发明专利]一种半导体加工用静电消除设备

权利要求书

1.一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱(1)、检视窗(2)、散热窗(3)、反应箱(4)、封闭门(5)，其特征在于：

所述的机箱(1)正面位置设有检视窗(2)且二者相互连通，所述的检视窗(2)侧面设有散热窗(3)且机箱(1)底部连接反应箱(4)，所述的反应箱(4)一侧设有封闭门(5)与其相连。

2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的反应箱(4)包括有箱体(40)、离子风扇(41)、半导体板(42)、隔离块(43)、下漩涡轮(44)、增湿扇座(45)、轴芯(46)，所述的箱体(40)内联接离子风扇(41)，所述的离子风扇(41)正下方位置间隔设有半导体板(42)，所述的半导体板(42)两侧均连接有隔离块(43)且其底部贯穿连接下漩涡轮(44)，所述的下漩涡轮(44)底端间隔连通增湿扇座(45)，所述的增湿扇座(45)末端与轴芯(46)相连。

3.根据权利要求2所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的离子风扇(41)包括有扇罩(410)、锥形轴(411)、高压电管(412)、下沉扇叶(413)、导流槽环(414)，所述的扇罩(410)中端位置连接锥形轴(411)，所述的锥形轴(411)两侧均设有高压电管(412)且其末端连接下沉扇叶(413)，所述的下沉扇叶(413)一侧对应设有导流槽环(414)，所述的导流槽环(414)嵌合连接扇罩(410)。

4.根据权利要求2所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的下漩涡轮(44)包括有下凹架(440)、摆架(441)、对流转板(442)、引流通管(443)、对流输管(444)，所述的下凹架(440)内侧连接摆架(441)，所述的摆架(441)设于对流转板(442)两侧且与其相连，所述的对流转板(442)底部间隔设有引流通管(443)，所述的引流通管(443)连通其下方的对流输管(444)。

5.根据权利要求2所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的增湿扇座(45)包括有导水管(450)、网格输架(451)、喷浮转环(452)，所述的导水管(450)连通网格输架(451)，所述的网格输架(451)顶端位置设有喷浮转环(452)且二者相互连通。