[发明专利]混合成像结构

权利要求书

1.一种混合成像结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置有容置腔，且所述衬底具有相对设置的第一侧和第二侧；

电路处理器件，所述电路处理器件位于所述容置腔内，且靠近所述第一侧设置；

第一互连结构，所述第一互连结构位于所述衬底的所述第一侧的表面上，所述第一互连结构与所述电路处理器件电性连接；

可见光探测器件，所述可见光探测器件位于所述容置腔内，且靠近所述第二侧设置，所述可见光探测器件与所述第一互连结构电性连接；所述可见光探测器件包括相互连接的至少一个N型掺杂区和至少两个P型掺杂区，至少一个所述N型掺杂区位于至少两个所述P型掺杂区之间；

多个垂直电极，多个所述垂直电极在所述第一互连结构远离所述衬底的一侧间隔排布；

红外探测器件，所述红外探测器件位于所述第一互连结构远离所述衬底的一侧，所述红外探测器件与所述第一互连结构电性连接；

第二互连结构，所述第二互连结构靠近所述第二侧设置，且与所述可见光探测器件中靠近所述第二侧的所述P型掺杂区电性连接；

多个硅通孔，多个所述硅通孔贯穿所述衬底，且位于所述可见光探测器件的两侧，多个所述硅通孔电性连接所述第一互连结构和所述第二互连结构；

第三互连结构，所述第三互连结构位于所述容置腔内，且位于所述电路处理器件的两侧，所述第三互连结构电性连接所述第一互连结构和所述可见光探测器件中靠近所述第一侧的所述P型掺杂区。

2.根据权利要求1所述的混合成像结构，其特征在于，所述N型掺杂区为两个，所述P型掺杂区为三个，两个所述N型掺杂区和三个所述P型掺杂区相互交错排布。

3.根据权利要求1所述的混合成像结构，其特征在于，所述可见光探测器件包括第一叉指P型电极组和第二叉指P型电极组，所述第一叉指P型电极组中的叉指P型电极的数量和所述第二叉指P型电极组中的叉指P型电极的数量相等；

至少两个所述P型掺杂区包括第一P型掺杂区和第二P型掺杂区；

所述第一叉指P型电极组中的所述叉指P型电极的根部位于所述第一P型掺杂区上，所述第一叉指P型电极组中的所述叉指P型电极的端部朝所述第二P型掺杂区延伸；

所述第二叉指P型电极组中的所述叉指P型电极的根部位于所述第二P型掺杂区上，所述第二叉指P型电极组中的所述叉指P型电极的端部朝所述第一P型掺杂区延伸；

所述第一叉指P型电极组中的所述叉指P型电极与所述第二叉指P型电极组中的所述叉指P型电极依次交错排布，相邻的所述第一叉指P型电极组中的所述叉指P型电极和所述第二叉指P型电极组中的所述叉指P型电极在水平方向上至少部分相对设置，并形成电容。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的混合成像结构，其特征在于，所述可见光探测器件在靠近所述第二侧的表面凹凸不平。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的混合成像结构，其特征在于，所述可见光探测器件整体为弯折结构。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的混合成像结构，其特征在于，还包括聚光层，所述聚光层包括相对设置的第一聚光层和第二聚光层，所述第一聚光层和所述第二聚光层位于所述容置腔内，且共同形成透光区，所述透光区在所述红外探测器件上的正投影和所述可见光探测器件在所述红外探测器件上的正投影至少部分重合；

所述透光区的透光面积由所述可见光探测器件的一侧朝所述红外探测器件的一侧逐渐减小。

7.根据权利要求6所述的混合成像结构，其特征在于，所述聚光层位于所述可见光探测器件靠近所述电路处理器件的一侧，且位于所述可见光探测器件和所述电路处理器件之间；

或，所述聚光层位于所述电路处理器件远离所述第一互连结构的一侧，且所述可见光探测器件位于所述透光区内。

8.根据权利要求6所述的混合成像结构，其特征在于，所述聚光层的材质包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅中的一种或多种；

和/或，所述聚光层的厚度位于10nm-1μm之间。