[发明专利]套刻偏差的量测方法在审
申请号: | 202110913637.X | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN115704852A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 张海;杨晓松;吴怡旻 | 申请(专利权)人: | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏差 方法 | ||
1.一种套刻偏差的量测方法,其特征在于,包括:
提供若干批次待测晶圆;
在所述若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆;
采用第一光照剂量对所述样品晶圆进行第一套刻偏差量测,获取第一量测值组;
采用第二光照剂量对所述样品晶圆进行第二套刻偏差量测,获取第二量测值组,所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量;
获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组;
在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆;
采用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对所述实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测,获取所述实测晶圆的第三量测值组;
采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准,获取所述实测晶圆的套刻偏差值组。
2.如权利要求1所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,还包括:进行第一套刻偏差量测之前,获取所述第二光照剂量;获取所述第二光照剂量的方法包括:获取测试晶圆;采用多个不同的测试光照剂量对所述测试晶圆的所有区域点分别进行多次套刻偏差量测,获取小于或等于第一预设光学信号的离散度值的若干光学信号的离散度值,且各光学信号的离散度值与各测试光照剂量对应;根据所述多个测试光照剂量和对应的多个光学信号的离散度值,获取光照剂量与光学信号的离散度值关系模型;根据所述光照剂量与光学信号的离散度值关系模型获取临界光学信号的离散度值;通过所述光照剂量与光学信号的离散度值关系模型和所述临界光学信号的离散度值,获取所述第二光照剂量,所述第二光照剂量为所述光学信号的离散度值小于或等于所述临界光学信号的离散度值时的最低光照剂量。
3.如权利要求2所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,所述多个测试光照剂量大于或等于500;第n个测试光照剂量较第n-1个测试光照剂量大500,所述n为大于或等于2的自然数;所述第一预设光学信号的离散度值为4。
4.如权利要求2所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述临界光学信号的离散度值的方法包括:根据所述光照剂量与光学信号的离散度值关系模型,获取所述第一光照剂量对应的第一光学信号的离散度值;当所述第一光学信号的离散度值高于2时,所述临界光学信号的离散度值为4;当所述第一光学信号的离散度值低于或等于2时,所述临界光学信号的离散度值为2。
5.如权利要求2所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述测试晶圆的方法包括:在所述待测晶圆中获取任一晶圆为所述测试晶圆。
6.如权利要求1所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述第三量测值组的方法包括:使用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对所述实测晶圆的所述所有区域点进行量测,获取所述第三量测值组。
7.如权利要求1所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,所述校准的方法包括:所述第三量测值组点对点加上所述平均偏差值组。
8.如权利要求1所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述样品晶圆的方法包括:在所述若干批次待测晶圆中任取多片晶圆作为样品晶圆;所述样品晶圆的数量范围为4片~6片。
9.如权利要求8所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述第一量测值组的方法包括:使用所述第一光照剂量对所述样品晶圆的所述所有区域点进行量测,获取所述第一量测值组。
10.如权利要求8所述的套刻偏差的量测方法,其特征在于,获取所述第二量测值组的方法包括:使用所述第二光照剂量对所述样品晶圆的所述所有区域点进行量测,获取所述第二量测值组。
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