[发明专利]栅极寄生电容建模方法

权利要求书

1.一种栅极寄生电容建模方法，其特征在于，包括如下步骤：

根据栅极面积和周长提取栅极电容最低点的电容分量；

提取电容变化量；

提取电容变化斜率；

提取偏移量；

反馈验证。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提取电容最低点的电容分量的方法进一步是；

电容最低点的电容分量cgmin通过公式

cgmin＝cgmin(S,P)*EXP(C3*L/W)

cgmin(S,P)＝C0(x)+C1*S+C2*P

cgmin(S,P)为基于栅极周长P和栅极面积S的表达式，C0(x)为关于x的表达式，C1为面积系数，C2为周长系数，C3为宽长比纠正系数。

建模开始时，默认C3系数为0，通过解算以下方程：

通过最小RMS方法迭代，赋予C1及C2初值，

此处的公式基于上述公式：

cgmin(S,P)＝C0(x)+C1*S+C2*P

根据提取数值结果，提取C0及C3数值，

由于大宽长比器件L/W趋于0，因此可使用大宽长比器件提取C0，确定C0数值后，C3则使用全局优化方式进行提取，从而完成对电容最低点的电容分量的提取。