[发明专利]外延结构及其制作方法、LED器件有效
| 申请号： | 202110915008.0 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN114038959B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 谷鹏军;刘勇兴 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 制作方法 led 器件 | ||
1.一种外延结构，沿生长方向依次层叠设置的N型半导体层、MQW有源层和P型半导体层；其特征在于，所述MQW有源层包括沿生长方向依次层叠的前MQW有源层和后MQW有源层；
所述前MQW有源层包括至少两组交替层叠设置的第一量子垒层和第一量子阱层；
所述后MQW有源层包括至少两组交替层叠设置的第二量子垒层和第二量子阱层；
其中，每一层所述第二量子阱层中的Al组分的含量沿生长方向逐渐增加，每一层所述第二量子阱层中的Ga组分的含量沿生长方向逐渐减少；
所述第二量子阱层为(AlCGa1-C)0.5In0.5P层；
其中，C的值沿生长方向从0.1渐变为0.3。
2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，
每一层所述第二量子垒层中的Al组分的含量沿生长方向逐渐减小，每一层所述第二量子垒层中的Ga组分的含量沿生长方向逐渐增加。
3.如权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述第二量子垒层为(AlDGa1-D)0.5In0.5P层；
其中，D的值沿生长方向从0.8渐变为0.6。
4.如权利要求1-3任一项所述的外延结构，其特征在于，所述第一量子阱层为(AlAGa1-A)0.5In0.5P层，其中，0.2≤A≤0.3；
所述第一量子垒层为(AlBGa1-B)0.5In0.5P层，其中，0.6≤B≤0.7。
5.如权利要求1-3任一项所述的外延结构，其特征在于，所述第一量子垒层、所述第一量子阱层、所述第二量子垒层和所述第二量子阱层的厚度均为3nm～6nm。
6.如权利要求1-3任一项所述的外延结构，其特征在于，所述N型半导体层包括沿生长方向依次层叠的N-AlInP限制层、N-AlGaInP波导层；
所述P型半导体层包括沿生长方向依次层叠P-AlGaInP波导层、P-AlInP限制层和P-GaP电流扩展层。
7.如权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括沿生长方向依次层叠的GaAs缓冲层和AlGaAs/AlAs DBR反射层，所述GaAs缓冲层和所述AlGaAs/AlAs DBR反射层位于所述N型半导体层远离所述MQW有源层的一侧。
8.如权利要求7所述的外延结构，其特征在于，所述GaAs缓冲层的厚度0.4μm～0.6μm；所述AlGaAs/AlAs DBR反射层的厚度为2.0μm～4.0μm；所述N-AlInP限制层的厚度为0.25～0.45μm；所述N-AlGaInP波导层的厚度为0.06μm～0.1μm；所述P-AlGaInP波导层的厚度为0.07μm～0.1μm；所述P-AlInP限制层的厚度为0.3μm～1μm；所述P-GaP电流扩展层的厚度为5μm～6μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司，未经重庆康佳光电技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110915008.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
