[发明专利]一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统

说明书

本发明提供一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，其特征在于，包括：远程控制模块，以RCM远程控制机台；数据采集模块，收集当层及前层机台设备的参数和状态参数，同时收集当层及前层制程参数；解析反馈模块，调整反馈方程式，将接收到的调整方式信息反馈给远程控制模块；智能调整模块，利用iDEP分析当层和前层机台设备参数与制程参数，拟定算法，找出关键因子，然后将调整方式反馈回解析反馈模块。本发明能够节省人力及增加机台生产时间。

技术领域

本发明涉及一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，属于芯片制造领域。

背景技术

离子植入机机台在使用上因应不同产品需求，需要去做离子束beam的调整，一般调整执行时，需由人工先协助机台定义，再由机台执行自动调整，最后再执行测机确认，调整过程需要耗费许多的时间，导致产能的损失。

影响离子植入机台产出制程水准的变因众多，包含前制程机台能力、当站机台设备状态、当站制程参数，以人工操作时，在考量变因容易产生误漏或影响一致性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，以提高生产效率。

本发明采用了如下技术方案：

一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，其特征在于，包括：远程控制模块，以RCM远程控制机台；数据采集模块，收集当层及前层机台设备的参数和状态参数，同时收集当层及前层制程参数；解析反馈模块，调整反馈方程式，将接收到的调整方式信息反馈给远程控制模块；智能调整模块，利用iDEP分析当层和前层机台设备参数与制程参数，拟定算法，找出关键因子，然后将调整方式反馈回解析反馈模块。

进一步，本发明的针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，还具有这样的特征：解析反馈模块进行参数调整的初期，使用经验参数调整反馈方程式。

进一步，本发明的针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，还具有这样的特征：远程控制模块中具有OCR，协助影像识别，收集信息及数据。

进一步，本发明的针对离子植入机的进阶智能设备控制系统，还具有这样的特征：使用Rs和Tw来控制射束电流的强度：

Xt＝A*Xt-1+B*Y+C*Z+D，

其中，Xt为：配方中的制程作用时间，Y为Rs的控制参数；Z为Tw的控制参数；A，B，C为控制常数。

本发明还提供一种针对离子植入机的进阶智能设备控制方法，其特征在于，包括：

步骤一，收集当前层及前层机台设备参数及状态参数，收集当层及前层制程参数，然后传输到解析反馈模块中；

步骤二，使用RCM远程控制机台，同时使用OCR协助影像识别，收集信息及数据；

步骤三，解析反馈模块接收当前层及前层机台设备参数以及状态参数和当层及前层制程参数，并且接收来自步骤二中的信息和数据，进行离线解析反馈；

步骤四，结合EAP及RCM系统收集数据，以iDEP做要因分析，找出最适控制变因调整方式，再由解析反馈模块传回RCM执行代操机台功能。

进一步，本发明的针对离子植入机的进阶智能设备控制方法，还具有这样的特征：步骤一中，还包括录屏记录操作历程的步骤。

进一步，本发明的针对离子植入机的进阶智能设备控制方法，还具有这样的特征：使用Rs和Tw来控制射束电流的强度：

Xt＝A*Xt-1+B*Y+C*Z+D，

其中，Xt为：配方中的制程作用时间，Y为Rs的控制参数；Z为Tw的控制参数；A，B，C为控制常数。