[发明专利]一种N型TOPCon电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，N型TOPCon电池包括硅衬底，所述硅衬底的正面由里往外设置有硼扩散层、正面氧化铝层、正面氮化硅层，所述硅衬底的背面由里往外设置有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面氧化硅层、背面氮化硅层和背面氧化铝层，制备方法包括以下步骤：

在硅衬底的正面形成硼扩散层，在硅衬底的背面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层；

采用臭氧氧化法和等离子体化学气相沉积法相结合的方法在所述掺杂多晶硅层上依次制备背面氧化硅层、背面氮化硅层，在实现等离子体化学气相沉积法的设备上加装臭氧发生器，先采用臭氧氧化法制备背面氧化硅层，再采用等离子体化学气相沉积法制备背面氮化硅层；

同时在硼扩散层和所述背面氮化硅层上沉积氧化铝，分别形成正面氧化铝层和背面氧化铝层；

在正面氧化铝层上形成正面氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述臭氧氧化法的工艺条件为：温度为100-400℃，压力为3-800mbar，时间为3-20min。

3.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述等离子体化学气相沉积法的工艺条件为：温度为450-500℃，压力为3-800mbar，时间为3-20min。

4.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，沉积氧化铝的方式是采用单原子层沉积法，单原子层沉积法的工艺条件为：温度为200-250℃，工艺过程为：TMA、4-8s-吹扫7-10s-H₂O、4-8s-吹扫7-10s，循环次数为22-51次。

5.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，制备正面氮化硅层的方式是采用等离子体化学气相沉积法，工艺条件为：温度为450-500℃，压力为200-300Pa。

6.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述背面氧化硅层的厚度为1-3nm；

和/或，所述背面氮化硅层的厚度为70-100nm；

和/或，所述背面氧化铝层的厚度为3-7nm。

7.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述正面氧化铝层的厚度为3-7nm；

和/或，所述正面氮化硅层的厚度为70-100nm。

8.根据权利要求1所述的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述硼扩散层的深度为700-1400nm；

和/或，所述隧穿氧化层的厚度为0.5-3nm；

和/或，所述掺杂多晶硅层的厚度为40-150nm。