[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，所述有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，其特征在于：所述有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，所述n型半导体和p型半导体皆为有机材料,所述有机体异质结半导体层采用协同蒸发所述n型半导体和p型半导体制得。

2.如权利要求1所述的体异质结有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述n型半导体为P13，所述p型半导体为并五苯。

3.如权利要求2所述的体异质结有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述P13与所述并五苯的混合体积比为1：1，所述有机体异质结半导体层厚度为38nm。

4.如权利要求1所述的体异质结有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述缓冲层采用p型半导体并五苯，所述缓冲层厚度为3-18nm。

5.一种如权利要求1至4中任一项所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)配置电荷传输层溶液：将聚合物四甲基哌啶醇溶解于有机溶剂中；

(2)制备电荷传输层：将步骤(1)的电荷传输层溶液旋涂于基片上表面，所述基片为栅电极、栅绝缘层自下而上依次形成；

(3)制备缓冲层：在所述电荷传输层上真空蒸镀缓冲层；

(4)制备有机体异质结半导体层：采用协同蒸发的方法，在所述缓冲层上以均匀蒸发速度真空蒸镀n型半导体和p型半导体，制得有机体异质结半导体层；

(5)制备源漏电极：在所述有机体异质结半导体层上真空蒸镀源漏电极。

6.如权利要求5所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述真空蒸镀的真空度控制在5×10^-4Pa以下，蒸镀速率为通过晶振控制所述有机体异质结半导体层厚度为38nm。

7.如权利要求5所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述有机溶剂为甲苯，所述电荷传输层溶液中聚合物四甲基哌啶醇的浓度为3mg/ml。

8.如权利要求5所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述旋涂的转速为3000转/秒，所述旋涂时间为30秒。

9.如权利要求5所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述真空蒸镀的真空度控制在5×10^-4Pa以下，蒸镀速率为所述缓冲层的厚度为3-18nm。

10.如权利要求5所述的体异质结有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述源漏电极采用铜或金，控制真空蒸镀的速率为控制源漏电极的厚度为60-100nm。