[发明专利]陷波可调谐振结构及小型片式介质滤波器

说明书

本发明涉及一种陷波可调谐振结构，包括第一谐振单元和第二谐振单元；两个谐振单元分别包括谐振金属指条、延伸金属指条和耦合金属指条，谐振金属指条和耦合金属指条均与延伸金属指条连接，且位于延伸金属指条的同一侧，谐振金属指条的一端接地。本发明中，采用四分之一波长混合电磁耦合谐振结构，可以使微带或带状滤波器尺寸更小；通过混合电磁耦合谐振结构既可以实现电耦合，又可以实现磁耦合，还能在带外产生陷波，提升滤波器的阻带抑制，且可通过调节谐振结构中两个耦合金属指条齐平部分的长度、两个耦合金属指条之间的间距对第一谐振单元和第二谐振单元之间的电耦合进行调节，能够方便地调节陷波的位置以提升阻带抑制，达到更好的滤波效果。

技术领域

本发明属于介质滤波器技术领域，涉及一种陷波可调谐振结构及小型片式介质滤波器。

背景技术

随着通信技术的革新，对微波通信系统的滤波器性能提出了更加苛刻的要求，例如：小尺寸、低插损、高选择性、远寄生通带等等。介质滤波器由于具有低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点，广泛应用于微波通信领域中。

阻带抑制是介质滤波器的一个重要参数，在现有技术中，一般通过增加滤波器阶数来提高介质滤波器的阻带抑制，然而，随着阶数的提高滤波器的插损会相应升高，并且会使介质滤波器的体积变大，不利于介质滤波器的小型化。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种通过在带外产生陷波以提升阻带抑制，且陷波可调谐振结构及小型片式介质滤波器。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种陷波可调谐振结构，包括第一谐振单元和第二谐振单元；所述第一谐振单元包括一第一延伸金属指条、连接于所述第一延伸金属指条远离所述第二谐振单元的一端的第一谐振金属指条以及连接于所述第一延伸金属指条临近所述第二谐振单元的一端的第一耦合金属指条，所述第一谐振金属指条及第一耦合金属指条均位于所述第一延伸金属指条的同一侧；所述第二谐振单元包括一第二延伸金属指条、连接于所述第二延伸金属指条远离所述第一谐振单元的一端的第二谐振金属指条以及连接于所述第二延伸金属指条临近所述第一谐振单元的一端的第二耦合金属指条，所述第二谐振金属指条及第二耦合金属指条均位于所述第二延伸金属指条的同一侧。

进一步的，所述第一谐振金属指条远离所述第一延伸金属指条和第二谐振金属指条远离第二延伸金属指条的一端接地，且所述第一谐振金属指条和第二谐振金属指条的接地端通过第一连接金属指条连接。

进一步的，所述第一耦合金属指条的非连接端和第二耦合金属指条的非连接端齐平。

进一步的，还包括第三耦合金属指条，所述第一谐振单元和第二谐振单元均设置在第三耦合金属指条的同一侧。

一种小型片式介质滤波器，包括介质板，所述介质板上设有至少一个陷波可调谐振结构。

进一步的，所述介质板的顶面沿长度方向依次设有输入金属指条、第一谐振结构、第二谐振结构、第三谐振结构和输出金属指条，所述第二谐振结构采用陷波可调谐振结构，且所述第二谐振结构的第一谐振单元和第二谐振单元对称设置；所述第一谐振结构还与输入金属指条连接，所述第三谐振结构还与输出金属指条连接。

进一步的，所述第一谐振结构包括第二谐振器和第三谐振器，所述第一谐振器和第二谐振器的一端接地，且所述第一谐振器和第二谐振器的接地端通过第二连接金属指条连接；所述第二谐振器的高度大于第三谐振器的高度，所述第二谐振器与输入金属指条连接；所述第三谐振结构包括第四谐振器和第五谐振器，所述第四谐振器和第五谐振器的一端接地，且所述第四谐振器和第五谐振器的接地端通过第三连接金属指条连接；所述第五谐振器的高度大于第四谐振器的高度，所述第五谐振器与输出金属指条连接。