[发明专利]一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、对衬底进行预处理，并在所述衬底的上方蒸镀导电膜；

步骤二、在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域并在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al₂O₃和HfO₂制备出DBR薄膜；

步骤三、在所述DBR薄膜上方沉积Mg_0.5Zn_0.5O光敏层；

步骤四、在所述Mg_0.5Zn_0.5O光敏层上曝光显影出第二堆叠区域，并在所述第二堆叠区域沉积叉指电极层，获得用于深紫外光探测的光敏晶体管。

2.如权利要求1所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，所述对衬底进行预处理包括如下步骤：

步骤1、将所述衬底放入丙酮溶液中，在室温下超声清洗3～5分钟；

步骤2、再将所述衬底放入乙醇溶液中，在室温下超声清洗3～5分钟；

步骤3、再将所述衬底放入去离子水中，在室温下超声清洗3～5分钟；

步骤4、再将所述衬底用高纯氮气吹干后90℃烘干5分钟。

3.如权利要求1所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤一中通过电子束蒸发进行蒸镀导电膜。

4.如权利要求3所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域具体包括如下步骤：

步骤1、在所述导电膜上旋涂第一光刻胶并进行烘干；

步骤2、在所述第一光刻胶上覆盖第一光刻板并进行曝光，形成多个曝光部分；

步骤3、将曝光后的样品进行显影，在所述多个曝光部分得到第一堆叠区域，并进行清洗吹干。

5.如权利要求4所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤二中在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al₂O₃和HfO₂制备出DBR薄膜包括如下过程：

以射频磁控溅射方法将Al₂O₃靶材在所述样品上室温磁控溅射沉积37nm厚的Al₂O₃薄膜后，以射频磁控溅射方法将HfO₂靶材在所述Al₂O₃薄膜上室温磁控溅射沉积30nm厚的HfO₂薄膜，再重复磁控溅射一个周期的Al₂O₃薄膜和HfO₂薄膜，将所述样品上剩余的第一光刻胶清洗掉后再次清洗吹干。

6.如权利要求5所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，在沉积所述Al₂O₃薄膜时，所述射频磁控溅射的射频功率为100W，溅射压力为7.5mTorr，Ar/O₂混合气体[P(O₂)＝10％]；

在沉积所述HfO₂薄膜时，所述射频磁控溅射的射频功率为90W，溅射压力为5mTorr，Ar/O₂混合气体[P(O₂)＝5％]。

7.如权利要求6所述的用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃靶材和HfO₂靶材的纯度均为99.99％。