[发明专利]一种声表面波谐振器及其制作方法

权利要求书

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

压电层；

第一金属膜层，所述第一金属膜层位于所述压电层的一侧，其中，所述第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器，所述信号传输器与所述叉指式换能器连接；

第一温度补偿膜层，所述第一温度补偿膜层位于所述叉指式换能器的远离所述压电层的一侧，所述第一温度补偿膜层覆盖所述叉指式换能器，且所述第一温度补偿膜层不覆盖所述信号传输器；

阻挡层，所述阻挡层位于所述第一温度补偿膜层远离所述压电层的一侧，所述阻挡层覆盖所述第一温度补偿膜层，且所述阻挡层不覆盖所述信号传输器；

第二温度补偿膜层，所述第二温度补偿膜层位于所述阻挡层远离所述压电层的一侧，所述第二温度补偿膜层覆盖所述阻挡层，且所述第二温度补偿膜层不覆盖所述信号传输器；

第二金属膜层，所述第二金属膜层位于所述信号传输器远离所述压电层一侧，所述第二金属膜层覆盖所述信号传输器。

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括：

第一介质层，所述第一介质层位于所述叉指式换能器的远离所述压电层的一侧，所述第一介质层覆盖所述叉指式换能器，且所述第一介质层不覆盖所述信号传输器；

第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层与所述第一温度补偿膜层之间，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，且所述第二介质层不覆盖所述信号传输器；

第三介质层，所述第三介质层位于所述第二温度补偿膜层远离所述压电层的一侧，所述第三介质层覆盖所述第二温度补偿膜层，且所述第三介质层不覆盖所述第二金属膜层。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一温度补偿膜层的材料包括氟氧化硅；

所述第一温度补偿膜层的最大厚度包括0.5～1μm。

4.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一介质层的材料包括二氧化硅，所述第一介质层的厚度包括10～50nm；

所述第二介质层的材料包括二氧化硅、二氧化锗或三氧化二铝，所述第二介质层的厚度包括10～50nm。

5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度包括0.1～0.15mm。

6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述阻挡层的材料包括三氧化二铝；

所述阻挡层的厚度包括10～50nm。

7.一种声表面波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一压电层；

在所述压电层一侧形成第一金属膜层，其中，所述第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器，所述信号传输器与所述叉指式换能器连接；

在所述第一金属膜层远离所述压电层的一侧依次形成第一温度补偿膜层、阻挡层和第二温度补偿膜层；其中，所述第一温度补偿膜层覆盖所述叉指式换能器，所述阻挡层覆盖所述温度补偿层，所述第二温度补偿膜层覆盖所述阻挡层，且所述第一温度补偿膜层、所述阻挡层以及所述第二温度补偿膜层均不覆盖所述信号传输器；

在所述信号传输器远离所述压电层一侧形成第二金属膜层，所述第二金属膜层覆盖所述信号传输器。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一金属膜层远离所述压电层的一侧依次形成第一温度补偿膜层、阻挡层和第二温度补偿膜层包括：

在所述第一金属膜层远离所述压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层；

在所述第一温度补偿过渡膜层远离所述压电层的一侧形成阻挡过渡层；

在所述阻挡过渡层远离所述压电层的一侧形成第二温度补偿过渡膜层；

刻蚀所述第二温度补偿过渡膜层、所述阻挡过渡层和所述第一温度补偿过渡膜层直到所述信号传输器远离所述压电层的表面全部裸露，其中，刻蚀后的所述第二温度补偿过渡膜层为第二温度补偿膜层、刻蚀后的所述阻挡过渡层为阻挡层以及刻蚀后的所述第一温度补偿过渡膜层为第一温度补偿膜层。