[发明专利]一种用于2μm波段的中红外硅基电光调制器

权利要求书

1.一种硅基电光调制器，其特征在于，包括第一电子掺杂区域、第一空穴掺杂区域、第二空穴掺杂区域、第二电子掺杂区域；

其中第一电子掺杂区域包括依次连接的第一电子子三掺杂区、第一电子子二掺杂区、第一电子子一掺杂区；第一空穴掺杂区域包括依次连接的第一空穴子一掺杂区、第一空穴子二掺杂区、第一空穴子三掺杂区；第二空穴掺杂区域包括依次连接的第二空穴子三掺杂区、第二空穴子二掺杂区、第二空穴子一掺杂区；第二电子掺杂区域包括依次连接的第二电子子三掺杂区、第二电子子二掺杂区、第二电子子一掺杂区；其中子一掺杂区、子二掺杂区、子三掺杂区的掺杂浓度不同，且掺杂浓度依次增大；

其中所述第一电子子一掺杂区和第一空穴子一掺杂区相连并形成第一脊波导；第二空穴子一掺杂区和第二电子子一掺杂区相连并形成第二脊波导。

2.根据权利要求1所述硅基电光调制器，其特征在于，所述第一电子掺杂区域、第二电子掺杂区域均为P型掺杂；第一、第二空穴掺杂区域为N型掺杂。

3.根据权利要求1所述硅基电光调制器，其特征在于，所述第一电子子一掺杂区和第一空穴子一掺杂区形成至少一个纵向PN结。

4.根据权利要求1所述硅基电光调制器，其特征在于，所述第二空穴子一掺杂区和第二电子子一掺杂区形成至少一个纵向PN结。

5.根据权利要求1所述硅基电光调制器，其特征在于，所述第一脊波导、第二脊波导的高度均为340nm。

6.根据权利要求1所述硅基电光调整器，其特征在于，所述还包括埋氧层，并包覆第一电子掺杂区域、第一空穴掺杂区域、第二空穴掺杂区、第二电子掺杂区域。

7.根据权利要求1所述硅基电光调整器，其特征在于，所述还包括第一金属电极、第二金属电极，其中第一金属电极通过电极引线与第一电子子三掺杂区相连；第二金属电极通过电极引线与第二电子子三掺杂区相连；其中第一电子子三掺杂区、第二电子子三掺杂区分别位于两侧。

8.一种硅基电光调制器的制备方法，包括：

(1)采用340nm硅刻蚀，然后光刻胶掩模，依次刻蚀第一、第二电子子一掺杂区，离子注入，刻蚀第一、第二空穴子一掺杂区，离子注入；刻蚀第一、第二电子子二掺杂区，离子注入，刻蚀第一、第二空穴子二掺杂区，离子注入，然后刻蚀第一、第二电子子三掺杂区，离子注入，刻蚀第一、第二空穴子三掺杂区，离子注入；

(2)沉积二氧化硅，蒸发TiN金属，刻蚀电极，再沉积二氧化硅，刻蚀热极引线孔；

(3)刻蚀金属电极引线孔，蒸发Al刻蚀金属电极图形。

9.一种权利要求1所述硅基电光调制器的应用。