[发明专利]发声装置的振膜及其制备方法、发声装置

权利要求书

1.一种发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜包括至少一层氟硅橡胶膜层，所述氟硅橡胶膜层中的网状聚合物包括第一链段、第二链段和第三链段，所述第一链段为所述第二链段为所述第三链段为中的至少一个；

其中，R基团为含氟烷基，R₃基团为甲基、乙基或者苯基，R₁基团为氢基、甲基、乙基或者苯基，R₂基团为甲基、乙基或者苯基。

2.根据权利要求1所述的发声装置的振膜，其特征在于，所述网状聚合物中的所述R基团与Si原子的摩尔比为(1～100):100。

3.一种发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

以包括含氟烷基侧链的硅氧烷聚合物为基础聚合物，在所述基础聚合物中添加填料、结构控制剂和交联剂经混炼成型组成所述振膜的氟硅橡胶膜层；

其中，所述硅氧烷聚合物为由链段一和链段二形成主链、由侧链基团封端的直链无规聚合物，所述链段一为所述链段二为所述链段一中的R基团为含氟烷基，R₃基团为甲基、乙基或者苯基，所述链段二中的R₁基团为氢基、甲基、乙基或者苯基，R₂基团为甲基、乙基或者苯基。

4.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述基础聚合物中的所述R基团与Si原子的摩尔比为(1～100):100。

5.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述R基团为三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基和三氟丁基中的一个。

6.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述交联剂为过氧化物，所述交联剂的分子式结构为R₅-O-O-R₅，其中，R₅基团为

7.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述填料为二氧化硅、表面改性二氧化硅、云母、石墨烯、粘土、碳酸钙、碳纳米管、高岭土、三氧化二铁、SnO₂、CeO₂和滑石粉中的一种或几种。

8.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述结构控制剂为二元醇、二有机基环硅醚、二有机基硅二醇、烷氧基硅烷、羟基含氟硅油、含Si-N键的有机硅化合物和含Si-O-B键的有机硅化合物中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述氟硅橡胶膜层的硬度为20A～95A。

10.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述氟硅橡胶膜层的拉伸强度为1MPa～15MPa。

11.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述氟硅橡胶膜层的厚度为30μm～250μm。

12.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述氟硅橡胶膜层的损耗因子≥0.1。

13.根据权利要求3所述的发声装置的振膜的制作方法，其特征在于，所述基础聚合物中添加填料、结构控制剂和交联剂经混炼形成氟硅混炼胶，所述振膜的制作方法还包括：对所述氟硅混炼胶采用模压成型、注塑成型或气压成型以形成所述氟硅橡胶膜层。

14.一种发声装置，其特征在于，包括振动系统以及与所述振动系统相配合的磁路系统，所述振动系统包括振膜和结合在所述振膜一侧的音圈，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述振膜发声，所述振膜为权利要求1或2中所述的振膜。

15.一种发声装置，其特征在于，包括壳体以及设在所述壳体内的磁路系统和振动系统，所述振动系统包括音圈、第一振膜和第二振膜，所述音圈的顶部与所述第一振膜相连，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述第一振膜发声，所述第二振膜的两端分别与所述壳体和所述音圈的底部相连，所述第二振膜为权利要求1或2中所述的振膜。