[发明专利]一种TBC太阳能电池及其制作方法

说明书

提供了一种TBC太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：提供N型硅片衬底，在所述N型硅片衬底的正面形成绒面结构；在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的氧化硅层和多晶硅层；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层上形成第一氮化硅减反射层，且在所述绒面结构上形成第二氮化硅减反射层；在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极，以获得所述TBC太阳能电池。本发明所提供的TBC太阳能电池的制作方法，简化了TBC太阳能电池的生产过程，有利于提高量产能力和市场竞争力，还有利于提高电池的效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，具体地讲，涉及一种TBC太阳能电池及其制作方法。

背景技术

现有技术中有关TBC太阳能电池(Tunneling oxide passivated contact BackContact，隧穿氧化层钝化接触背接触电池)的制备工艺几乎均需要二十多道工艺步骤，存在流程较长、制作成本较高等问题，而且整个工艺过程中还存在多种不稳定的因素，例如由于制备过程中包含有各种化学清洗工艺，容易引起钝化层破坏、正负极短路漏电等问题，严重影响了效率的提升和量产的稳定性，导致目前还没有适用于量产的成熟简易稳定的TBC太阳能电池的制备工艺。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种TBC太阳能电池及其制作方法。

根据本发明实施例的一方面提供的一种TBC太阳能电池的制作方法，其包括：提供N型硅片衬底，在所述N型硅片衬底的正面形成绒面结构；在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的氧化硅层和多晶硅层；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层上形成第一氮化硅减反射层，且在所述绒面结构上形成第二氮化硅减反射层；在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极，以获得所述TBC太阳能电池。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区，具体包括：在所述多晶硅层上形成第一氮化硅掩膜，并在所述第一氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第一开槽区；

在所述第一开槽区内进行硼扩散处理，以在所述多晶硅层内形成P型掺杂区；

在所述第一氮化硅掩膜上形成第二氮化硅掩膜，并在所述第二氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第二开槽区；

在所述第二开槽区内进行磷扩散处理，以在所述多晶硅层内形成与所述P型掺杂区依次交替呈直线排列的N型掺杂区。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述N型掺杂区的宽度为50um～300um，且所述N型掺杂区与所述P型掺杂区的宽度比为2：1～3：1。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，相邻的所述N型掺杂区与所述P型掺杂区之间还设有隔离区，所述隔离区的宽度为5um～100um。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述N型掺杂区和所述P型掺杂区的方阻均为50Ω.sq～650Ω.sq。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述第一氮化硅掩膜和所述第二氮化硅掩膜的厚度均为30nm～90nm。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述氧化硅层的厚度为1nm～20nm，所述多晶硅层的厚度为5nm～200nm。

在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述第一氮化硅减反射层和所述第二氮化硅减反射层的厚度均为60nm～90nm。