[发明专利]用于电容性成像传感器的低接地质量校正

权利要求书

1.一种电容性感测输入系统，包括：

多个传感器电极，其以传感器电极图案设置，其中，

当在低接地质量（LGM）状况下时：

由所述多个传感器电极的第一选择性配对形成的接近感测电极对相比于以下电极对对输入对象的存在具有增加的敏感度：

由所述多个传感器电极的主要对所述LGM状况敏感的第二选择性配对形成的LGM敏感电极对；以及

处理系统，其被配置为当在所述LGM状况下时：

利用所述LGM敏感电极对的第一对、使用互电容感测来确定第一LGM项；

获得由所述接近感测电极对的第一对形成的感测元件的第一跨电容感测信号；以及

通过使用所述第一LGM项校正所述第一跨电容感测信号来生成LGM校正的跨电容感测信号。

2.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，其中所述处理系统还被配置为在生成所述LGM校正的跨电容感测信号之前：

将所述第一LGM项映射到所述感测元件上。

3.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，其中确定所述第一LGM项包括：

确定所述输入对象位于所述感测元件处。

4.根据权利要求3所述的电容性感测输入系统，其中所述确定是基于从由以下各项组成的分组中选择的至少一项：

绝对电容分布感测，以及

跨电容分布感测。

5.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，其中所述LGM敏感电极对的所述第一对的所述两个传感器电极是非交叉的。

6.根据权利要求5所述的电容性感测输入系统，还包括设置在所述LGM敏感电极对的所述第一对的所述两个传感器电极之间的附加电极。

7.根据权利要求6所述的电容性感测输入系统，其中所述附加电极是从由以下各项组成的分组中选择的一个：

接地电极，以及

保护电极。

8.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，其中所述接近感测电极对的所述第一对的所述两个传感器电极交叉。

9.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，其中所述处理系统还被配置为在确定所述第一LGM项之前：

确定所述输入对象的大小；以及

取决于所述输入对象的所述大小，选择所述LGM敏感电极对的所述第一对的所述两个传感器电极的空间间隔。

10.根据权利要求1所述的电容性感测输入系统，

其中所述第一LGM项在基于所述LGM敏感电极对的所述第一对的所述传感器图案的第一方向上，并且

其中所述处理系统还被配置为：

在所述传感器图案的与所述第一方向垂直的第二方向上，利用所述LGM敏感电极对的第二对获得第二LGM项，以及

其中生成所述LGM校正的跨电容感测信号还包括使用所述第二LGM项校正所述第一跨电容感测信号。

11.一种处理系统，其与以传感器电极图案设置的多个传感器电极对接，

其中，当在低接地质量（LGM）状况下时：

由所述多个传感器电极的第一选择性配对形成的接近感测电极对相比于以下电极对对输入对象的存在具有增加的敏感度：

由所述多个传感器电极的主要对所述LGM状况敏感的第二选择性配对形成的LGM敏感电极对，

其中所述处理系统当在所述LGM状况下时被配置为：

利用所述LGM敏感电极对的第一对、使用互电容感测来确定第一LGM项；

获得由所述接近感测电极对的第一对形成的感测元件的第一跨电容感测信号；以及

通过使用所述第一LGM项校正所述第一跨电容感测信号来生成LGM校正的跨电容感测信号。