[发明专利]一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统

权利要求书

1.一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，包括56-86V、并联稳压电路(1)、串联稳压电路(2)、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路(1)连接56-86V，所述并联稳压电路(1)、串联稳压电路(2)、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路(1)、LDO芯片U2都连接串联稳压电路(2)，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路(1)，所述LDO芯片U2连接单片机U1。

2.根据权利要求1所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述并联稳压电路(1)包括电阻R3、稳压二极管DW2、三极管Q5，所述电阻R3的一端连接56-86V，所述电阻R3的另一端通过稳压二极管DW2连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极连接地信号，所述三极管Q5的集电极通过电阻R5连接单片机U1。

3.根据权利要求1所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述串联稳压电路(2)包括稳压二极管DW3、电阻R4、三极管Q4、三极管Q3，所述稳压二极管DW3的正极连接地信号GND，所述稳压二极管DW3的负极连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接并联稳压电路(1)，所述稳压二极管DW3的负极连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q4的集电极连接电阻R4的另一端，所述三极管Q4的发射极连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接LDO芯片U2。

4.根据权利要求3所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述LDO芯片U2设有输入端IN、GND端、输出端OUT。

5.根据权利要求4所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述输入端IN连接三极管Q3的发射极，所述GND端连接地信号GND，所述输出端OUT连接单片机U1。

6.根据权利要求1所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述56-86V通过电池的电芯供电。

7.根据权利要求2所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述稳压二极管DW2的稳压值为8.2V。

8.根据权利要求3所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述稳压二极管DW3的稳压值为8.2V。