[发明专利]一种高压启动电路在审
申请号: | 202110924965.X | 申请日: | 2021-08-12 |
公开(公告)号: | CN113644818A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 佟强;曲璐;李庆亮;殷慧;龚爱平 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M1/32 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 李毅 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 启动 电路 | ||
1.一种高压启动电路,其特征在于:所述高压启动电路包括一端连接输入电压Vin端的电阻,至少两个与所述电阻串联在一起用于连接反向截止二极管的功率单元,至少两个串联在一起一端连接输入电压Vin端且每一个输出端连接一个所述功率单元用于为所述功率单元均压的驱动均压单元,串联在所述驱动均压单元尾端连接GND的电压基准单元,及串联在所述功率单元尾端连接GND的电容。
2.根据权利要求1所述的高压启动电路,其特征在于,所述功率单元与所述驱动均压单元个数相同。
3.根据权利要求2所述的高压启动电路,其特征在于,所述功率单元为规格相同的三极管或MOSFET管,采用三极管时第一个三极管集电极与所述电阻串联、发射极与下一个三极管集电极串联,采用MOSFET管时第一个MOSFET管漏极与所述电阻串联、源极与下一个MOSFET管漏极串联。
4.根据权利要求3所述的高压启动电路,其特征在于,所述电压基准单元为稳压管且阴极与驱动均压单元串联、阳极与GND连接。
5.根据权利要求4所述的高压启动电路,其特征在于,所述驱动均压单元为规格相同的第一电阻且第一个第一电阻一端连接输入电压Vin端、第一个第一电阻另一端连接第一个三极管基极或第一个MOSFET管栅极及下一个第一电阻一端。
6.根据权利要求4所述的高压启动电路,其特征在于,所述驱动均压单元为规格相同的第一电阻及并联在所述第一电阻两端规格相同的第一电容且第一个第一电阻一端连接输入电压Vin端、第一个第一电阻另一端连接第一个三极管基极或第一个MOSFET管栅极及下一个第一电阻一端。
7.根据权利要求4所述的高压启动电路,其特征在于,所述驱动均压单元为一个第一电阻及至少一个第一稳压管且第一电阻一端连接输入电压Vin端、第一电阻另一端连接第一个三极管基极或第一个MOSFET管栅极及第一个第一稳压管阴极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳信息职业技术学院,未经深圳信息职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110924965.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置