[发明专利]一种减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法在审
| 申请号： | 202110924981.9 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782436A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 晶体管 栅极 切断 效应 方法 | ||
1.一种减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于，所述至少包括：
步骤一、提供基底，在所述基底上形成多个相互间隔排列的多晶硅结构，所述多晶硅结构上设有硬掩膜结构；
步骤二、在所述多晶硅结构和所述硬掩膜结构侧壁形成侧墙；
步骤三、在所述基底上形成外延结构；
步骤四、沉积覆盖所述基底、所述多晶硅结构和所述硬掩膜结构的层间介质层；
步骤五、对所述层间介质层进行第一次退火处理；
步骤六、对所述层间介质层研磨，研磨至将所述硬掩膜结构的顶部露出为止；
步骤七、采用退火气体为氮气对所述层间介质层进行第二次退火处理；
步骤八、对所述层间介质层研磨至露出所述多晶硅结构顶部为止；
步骤九、去除所述多晶硅结构，形成凹槽，之后在所述凹槽中形成HK金属栅。
2.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤一中在所述基底上形成多晶硅层，接着在所述多晶硅层上形成硬掩膜层，之后刻蚀所述硬掩膜层和所述多晶硅层，形成多个相互间隔排列的所述多晶硅结构和位于所述多晶硅结构上的所述硬掩膜结构。
3.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤二中在所述基底上沉积一层介质层，之后刻蚀所述介质层，形成依附于所述多晶硅结构和所述硬掩膜结构侧壁的侧墙。
4.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤三中的所述外延结构包括SiP外延结构和SiGe外延结构。
5.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤四中沉积所述层间介质层采用FCVD的方法。
6.根据权利要求5所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤五中的所述第一次退火处理为湿法退火处理。
7.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤六中对所述层间介质层进行研磨的方法为化学机械研磨法。
8.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤七中第二次退火处理的退火温度为500～700℃。
9.根据权利要求8所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤七中所述第二次退火处理的温度为650℃。
10.根据权利要求1所述的减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，其特征在于：步骤七中所述第二次退火的目的是释放所述层间介质层的张力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
