[发明专利]显示面板在审

专利信息
申请号: 202110925159.4 申请日: 2021-08-12
公开(公告)号: CN113593478A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 王威 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层,所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管;

其中,所述显示面板还包括设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件,所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠。

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体层、位于所述第一半导体层上方的第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第一源漏极层;

其中,所述屏蔽构件包括第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设于所述衬底和所述第一半导体层之间。

3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽构件的材料为非晶硅、单晶硅、多晶硅或者氧化物中的一种。

4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述衬底上的正投影。

5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽构件还包括位于所述第一屏蔽层与所述第一半导体层之间的第一绝缘层、第二屏蔽层以及第二绝缘层,所述第二屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述衬底上的正投影。

6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽构件的材料为导电材料;其中,所述第一屏蔽层接入恒定电位。

7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述像素驱动电路层上的发光功能层,所述发光功能层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极;

所述像素驱动电路层还包括与所述发光功能层电性连接的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述补偿晶体管间隔设置,所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二半导体层、第二栅极层以及第二源漏极层,所述第二源漏极层与所述阳极电性连接;

其中,所述显示面板还包括位于所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的复位金属线、与所述第二源漏极层同层设置的恒压高电平金属线、与所述第一栅极层同层设置的恒压低电平金属线、以及位于非显示区,且一端与所述复位金属线、所述恒压高电平金属线以及所述恒压低电平金属线中的一者同层且电性连接的桥接构件,所述桥接构件的另一端与所述第一屏蔽层电性连接。

8.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述补偿晶体管为双栅结构,所述第一栅极层包括同层且间隔设置的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一半导体层上的正投影均位于所述第一屏蔽层在所述第一半导体层上的正投影内,且所述第一屏蔽层与所述第一栅极和所述第二栅极中至少一者电性连接。

9.如权利要求2至8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体层包括与所述第一栅极相对应的第一沟道区,所述第二栅极相对应的第二沟道区,所述第一沟道区的宽度与所述第二沟道区的宽度之和大于或等于5微米。

10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二沟道区的宽度为所述第一沟道区的宽度的1/5至4/5。

11.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件,所述像素驱动电路驱动所述发光器件发光,所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、开关晶体管、驱动晶体管、所述补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管以及所述第一电容;

其中,所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点,所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点,所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点;

所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号,所述开关晶体管的第一端连接数据信号,所述开关晶体管的第二端连接于第二节点;

所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号,所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点,所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点;

所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号,所述第一初始化晶体管的第一端连接第一初始化信号,所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点;

所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号,所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点,所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点,所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连;

所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号,所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点,所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点;

所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号,所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点,所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第一初始化信号;

所述第一电容的第一电容电极连接于第五节点,所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点,所述第一电容通过第五节点与所述第一电源电压线相连,其中所述第一电源电压线为恒压高电平金属线;

所述发光器件的阳极连接于第四节点,所述发光器件的阴极连接于所述第二电源电压线相连;

其中,所述屏蔽构件至少位于所述第一初始化晶体管、所述开关晶体管、所述补偿晶体管、所述第二初始化晶体管、所述第一发光控制晶体管以及所述第二发光控制晶体管中的一者与所述衬底之间。

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