[发明专利]一种新型六相电荷泵电路结构

说明书

本发明公开了一种新型六相电荷泵电路结构，包括PUMP_REG电路模块，所述PUMP_REG电路模块的输入端设有PUMP_STG电路模块，所述PUMP_STG电路模块的输入端设有六相非交叠时钟电路模块。本发明采用六相非交叠时钟电路，主要是产生相位依次错位，频率相同，使用六相非交叠时钟控制PUMP_STG，使M1/M2/M3/M4不存在同时导通的情况，也不存在交叠的情况，避免了相互影响，采用了DBBN和DBBP模块，避免寄生二极管导通漏电，CLK1/CLK2/CLK3/CLK4/CLKA/CLKB时采用的相位依次错位的频率相同，占空比50％的时钟，消除VTH压降，避免逆向电流产生，提高pump效率，简化时钟控制，增加动态衬底偏置，避免寄生二极管导通漏电，使PUMP_STG主体管子都单独导通，减少相互影响。

技术领域

本发明涉及集成电路芯片技术领域，更具体地说，本发明涉及一种新型六相电荷泵电路结构。

背景技术

电荷泵普遍使用的是两相或四相结构，常用的两相电荷泵有Dickson CP、StaticCTS CP、Dynamic CTS CP以及Pelliconi CP结构，常用的四相电荷泵有CTS CP型，也有cross-coupled型。

现有的电荷泵结构存在以下不足：

1、pump通路有VTH压降，降低pump效率；

2、反向电流漏电，导致输出电压和输出电流减小，降低pump效率；

3、NMOS管/PMOS管衬底电压高于/低于源或漏端电压时，寄生二极管导通漏电；

4、四相电荷泵时钟控制复杂；

5、四相电荷泵会有输入级两个管子或输出级两个管子同时导通的情况，相互影响，降低pump效率。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种新型六相电荷泵电路结构，采用六相非交叠时钟电路，主要是产生相位依次错位，频率相同，使用六相非交叠时钟控制PUMP_STG，使M1/M2/M3/M4不存在同时导通的情况，也不存在交叠的情况，避免了相互影响，采用了DBBN和DBBP模块，避免寄生二极管导通漏电，CLK1/CLK2/CLK3/CLK4/CLKA/CLKB时采用的相位依次错位的频率相同，占空比50％的时钟，消除VTH压降，避免逆向电流产生，提高pump效率，简化时钟控制，增加动态衬底偏置，避免寄生二极管导通漏电，使PUMP_STG主体管子都单独导通，减少相互影响，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：包括PUMP_REG电路模块，所述PUMP_REG电路模块的输入端设有PUMP_STG电路模块，所述PUMP_STG电路模块的输入端设有六相非交叠时钟电路模块。

在一个优选的实施方式中，所述PUMP_STG电路模块包括NM1晶体管、NM2晶体管、PM1晶体管以及PM2晶体管，NM1晶体管的源端以及NM2晶体管的源端均接入转换输出电压，所述NM1晶体管的漏端与PM1晶体管的漏端电性连接，NM2晶体管的漏端与PM2晶体管的漏端电性连接，所述NM1晶体管的栅端与PM2晶体管的栅端电性连接，所述NM2晶体管的栅端与PM1晶体管的栅端电性连接。

在一个优选的实施方式中，所述PM1晶体管的输出端设有NM3晶体管、PM4晶体管以及NM4晶体管，所述PM2晶体管的输出端设有PM6晶体管、NM6晶体管以及PM8晶体管，且所述NM3晶体管的源端、PM4晶体管的漏端以及NM4晶体管的源端均与PM1晶体管的源端连接，所述PM6晶体管的漏端、NM6晶体管的源端以及PM8晶体管的源端均与PM2晶体管的源端电性连接，所述PM4晶体管的栅端以及NM4晶体管的栅端连接，所述PM6晶体管的栅端以及NM6晶体管的栅端连接。