[发明专利]一种UVC LED封装器件及其制备方法

权利要求书

1.一种UVC LED封装器件，其特征在于，包括UVC芯片和封装支架，所述UVC芯片包括衬底，所述衬底正面的中部和外周分别设置功能区和隔离区，所述衬底的背面设置增透层；所述封装支架与所述隔离区共融焊接相连，所述封装支架的中部与所述功能区压紧接触相连；

所述封装支架包括绝缘基板，所述绝缘基板上端的中部连接有齐纳管，所述绝缘基板底端两侧分别设置金属电极，所述绝缘基板内穿接有导电件，所述导电件的一端与所述齐纳管和所述功能区的电极电相连，所述导电件的另一端与对应的金属电极相连；

所述封装支架中部通过弹性压紧组件与所述功能区压紧接触相连；所述弹性压紧组件设置有多组，所述弹性压紧组件的底端与所述导电件和齐纳管相连，所述弹性压紧组件的上端与所述功能区电极接触相连；

所述弹性压紧组件包括金属块及其上连接的伸缩导电件，所述金属块的底端与所述导电件和所述齐纳管相连，所述金属块的上端通过所述伸缩导电件与所述功能区电极弹性接触相连；

所述增透层通过光学镀膜的方式形成在所述衬底的背面，所述增透层由高折射率膜层和低折射率膜层依次交替层叠形成；所述增透层在波长为260~280nm的透射率为99.5%~100%，所述低折射率膜层的厚度设置为50~140nm，所述高折射率膜层的厚度设置为40~80nm。

2.根据权利要求1所述的UVC LED封装器件，其特征在于：所述绝缘基板的外周连接有金属支架，所述金属支架上表面镀金，所述隔离区设置有金属焊盘，所述金属焊盘的材料为AuSn合金，所述金属焊盘与所述金属支架表面共融焊接相连。

3.一种如权利要求1或2所述的UVC LED封装器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：制备UVC芯片，在衬底正面制备功能区；在功能区外围刻蚀出隔离区，并在隔离区上镀AuSn合金形成金属焊盘；在衬底背面制备增透层；切割成芯片状；

步骤2：制备封装支架，在绝缘基板的外围连接金属支架，在绝缘基板中部连接齐纳管，在绝缘基板底端嵌入金属电极，在绝缘基板内嵌入导电件，使导电件伸出绝缘基板底端后与金属电极相连；

步骤3：在封装支架上连接弹性压紧组件，导电件伸出绝缘基板上端后通过金属块与齐纳管焊接相连，在金属块内嵌入伸缩导电件；

步骤4：将封装支架与UVC芯片相连，在金属支架上表面镀金，将金属支架表面与金属焊盘共融焊接相连，同时使伸缩导电件与功能区电极电性接触相连。

4.根据权利要求3所述的UVC LED封装器件的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，在衬底上制备功能区的过程是，在衬底上生长外延层，在外延层依次层叠生长出外延层缓冲层ALN、N型AlGaN区、发光区和P型AlGaN区、P-GaN；所述步骤4中，将金属支架表面与金属焊盘共融焊接相连的温度设置为220℃~280℃。